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国家教育部“985工程”(JZ2001010)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：邓宁陈培毅王民生张爽魏榕山更多>>
相关机构：清华大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇探测器
  • 1篇响应度
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇量子点红外探...
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇暗电流
  • 1篇暗电流密度
  • 1篇UHV/CV...

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇魏榕山
  • 1篇张爽
  • 1篇王民生
  • 1篇陈培毅
  • 1篇邓宁

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si基Ge量子点光电探测器的研究被引量：8
2006年
采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器。室温下,测得其在1.31μm和1.55μm的响应度分别为0.043mA/W和0.001 4 mA/W,覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围。
魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅
关键词：UHV/CVD量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
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