超高速专用集成电路重点实验室基金
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量：1
- 2007年
- 综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
- 郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹
- 关键词：RTTI-V特性
- 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
- 2006年
- 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
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- 平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
- 2007年
- 采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。
- 王伟牛萍娟郭维廉于欣胡留长
- 关键词：离子注入
- 平面型RTD及其MOBILE的设计与研制被引量：2
- 2006年
- 鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.
- 郭维廉梁惠来张世林胡留长毛陆虹宋瑞良牛萍娟王伟商跃辉王国全冯震
- 关键词：RTD离子注入MOBILE
- RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系被引量：1
- 2008年
- 为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
- 郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟商跃辉冯震田国平
- 关键词：共振隧穿二极管材料结构
- 一种测量RTD串联电阻的新方法被引量：3
- 2008年
- 根据RTD峰值电压Vp与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出Vp与RS,Rex关系的推导,RS测量原理、测量结果和与其他RS测量方法的比较.
- 郭维廉宋瑞良王伟于欣牛萍娟毛陆虹张世林梁惠来
- 平面型共振隧穿二极管和其组成MOBILE
- 2006年
- 为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能.
- 胡留长郭维廉张世林梁惠来姚素英
- 关键词：离子注入峰谷电流比
