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国家自然科学基金(60777043)

作品数:14 被引量:19H指数:3
相关作者:姜胜林范茂彦张洋洋张丽芳曾亦可更多>>
相关机构:华中科技大学玉溪师范学院昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 7篇电子电信
  • 7篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 4篇红外
  • 4篇厚膜
  • 3篇压电
  • 3篇介电
  • 3篇焦平面
  • 3篇红外焦平面
  • 2篇压电厚膜
  • 2篇探测器
  • 2篇测量方法
  • 2篇BA
  • 1篇倒装焊
  • 1篇导热
  • 1篇导热系数
  • 1篇等静压
  • 1篇低温共烧陶瓷
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电脉冲
  • 1篇电器件
  • 1篇电性能
  • 1篇电滞回线

机构

  • 14篇华中科技大学
  • 5篇玉溪师范学院
  • 3篇昆明物理研究...
  • 2篇湖北第二师范...
  • 1篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 11篇姜胜林
  • 6篇范茂彦
  • 4篇张丽芳
  • 4篇张洋洋
  • 3篇王青萍
  • 3篇曾亦可
  • 2篇熊龙宇
  • 2篇张光祖
  • 2篇谢甜甜
  • 2篇张海波
  • 1篇张清风
  • 1篇谢静菁
  • 1篇邵坤
  • 1篇熊贵
  • 1篇范跃农
  • 1篇陈亚波
  • 1篇刘耀平
  • 1篇卢琳
  • 1篇王立平
  • 1篇谭胜虎

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 3篇材料导报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇红外技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
压电厚膜的研究现状及趋势被引量:3
2009年
随着电子元器件向小型、高灵敏、集成、多功能化方向发展,薄/厚膜材料及器件逐渐成为研究的重点。由于压电厚膜(10~100μm)兼具有压电陶瓷与压电薄膜的优点,是各种微型传感器和执行器的核心部分,已引起世界各国研究者极大的兴趣,但是大多数研究还处于实验阶段。评述了压电厚膜的制备方法、测试表征以及应用状况,归纳了压电厚膜研究的现状及发展趋势,指出了其中存在的问题及解决办法,并对压电厚膜今后的研究提出了一些建议。
熊龙宇姜胜林曾亦可张海波王青萍
关键词:压电厚膜压电器件
基于数字正交的压电材料参数测试系统研究被引量:4
2011年
将数字正交采样法引用到压电测试中,对压电参数的测试方法、正交采样的理论两方面进行了研究,完成系统结构设计并给出了相应的软硬件实现方式,最后计算出机械品质因数和机电耦合系数等压电参数,并对测试结果进行了误差分析。测试结果表明,此方法能测量谐振频率与机械品质因数等压电参数,谐振频率测量误差在1%内,且能在一定范围内准确的记录材料的阻抗变化趋势。
陈亚波张洋洋邵坤张清风张光祖
关键词:数字正交阻抗
低声阻抗0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料的研制被引量:1
2010年
压电陶瓷材料的高声阻抗制约着其在水听器和超声成像方面的应用。为了对压电陶瓷材料的声阻抗和声速进行调节,本研究以聚偏氟乙烯(PVDF)及钛酸铅(PT)和锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉体为原料,经过流延、热压等工艺制得了4种含有不同量PT及PZT的0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料。研究了所制压电复合材料的声学、压电和介电性能。结果表明:所制压电复合材料的声阻抗均小于140 MPa.s/m,最优压电应变常数d33达43 pC/N,相对介电常数为185~210,介质损耗约为2×10–2。
熊贵张洋洋
关键词:压电复合材料PVDF
成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响
2009年
采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN—PMS-PZT)陶瓷,并进行对比研究。实验结果表明,冷等静压成型的陶瓷综合性能较好,其具有均匀紧凑的晶粒结构,可得到较高的成瓷密度;使材料的介电常数εr,和介电损耗tanδ降低,在保持较高热释电系数p的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相(FRL—FRH)的相变温度,并使热释电系数峰值得到稳定。其最佳性能为室温时,εr=216,tanδ=0.20%,p=12.0×10^-4C/m^2·℃(持续温区为23-55℃),探测率优值FD=24.6×10^-5Pa^-1/2。
卢琳刘耀平王立平姜胜林
关键词:介电性能
等静压辅助凝胶注模成型制备高致密Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3陶瓷被引量:1
2008年
采用凝胶注模成型制备了Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3陶瓷坯体。为了提高陶瓷的致密度,对干燥后的坯体进行了冷等静压处理。研究结果表明:冷等静压压力为100MPa时,坯体的机械强度从29.6MPa提高到32.8MPa,陶瓷的相对密度从无压时的96.4%增加到98.2%。等静压辅助凝胶注模成型制备的陶瓷相对于传统等静压法制备的陶瓷,晶粒小而均匀,结构致密,是一种理想的制备功能陶瓷材料的新方法。
谢甜甜姜胜林范茂彦
关键词:凝胶注模等静压功能陶瓷
红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术被引量:1
2011年
通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。
范茂彦姜胜林张丽芳
关键词:红外焦平面倒装焊垂直互连
钛酸铋钠钾无铅压电厚膜的制备及表征被引量:2
2009年
采用传统固相法制备(Na0.82K0.18)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷粉体,将质量分数5%的乙基纤维素溶入到质量分数为92%的松油醇中配制粘合剂溶液,加入质量分数2%的二乙二醇丁醚醋酸酯作分散剂,质量分数1%的邻苯二甲酸二丁酯作增塑剂,将陶瓷粉体与粘合剂溶液按3∶1的质量比混合碾磨,用320目筛印刷至带有Pt电极的氧化铝衬底上,经放平、烘烤、预烧、加压及烧结后,制备出厚度约40μm的BNKT厚膜,平均晶粒尺寸为1.1μm,介电常数也达到最大为782,损耗最小为3.6%(10 kHz),剩余极化为24.8μC/cm2矫顽场为71.6 kV/cm,纵向压电系数为79 pC/N。
张海波姜胜林曾亦可张洋洋
关键词:压电厚膜丝网印刷电滞回线
薄/厚膜压电参数测量方法的研究进展被引量:1
2009年
介绍了当前测量薄/厚压电参数的2大类方法:直接测量法(包括Berlincourt法、圆片弯曲技术、激光干涉法、扫描激光多普勒振动法、原子力显微镜法)和间接测量法(包括体声波响应和表面声波响应法、复合谐振法)。详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况和存在的问题,比较了这些方法的优缺点。结果表明,高分辨率的双束激光干涉和表面扫描振动相结合的方法将是评估压电参数方便、准确和可靠的方法,有望成为将来表征薄/厚膜压电特性的标准方法。
王青萍姜胜林熊龙宇曾亦可
关键词:测量方法
压电薄膜特性参数的测量方法被引量:2
2009年
随着电子元器件向微型、高灵敏、集成等方向发展,薄膜材料及器件在微机电(MEMS)系统中得到广泛应用,而测量压电薄膜特性参数的方法与体材料相比有很大的不同。介绍了当前测量压电薄膜特性参数的两大类方法:直接测量法(包括气腔压力法、悬臂梁法、激光干涉法和激光多普勒振动法)和间接测量法(传统阻抗分析法),详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题,比较了这些方法的优缺点,并对未来压电薄膜特性参数的测试表征作了展望。
王青萍范跃农姜胜林
关键词:压电薄膜测量方法
Ba_(1-x)Sr_xTiO_3热释电梯度厚膜的制备和介电性能研究
2010年
钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料。采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜,厚约5μm。研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能。X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料。扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2。
范茂彦姜胜林谢甜甜张光祖张丽芳
关键词:MN掺杂
共2页<12>
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