国家自然科学基金(60177010)
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
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- 相关机构：天津大学中华人民共和国工业和信息化部中国科学院更多>>
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- GaAs基RTD与MSM光电集成(英文)
- 2006年
- 报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属半导体金属光电探测器(MSMPD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.
- 胡艳龙梁惠来李益欢张世林毛陆虹郭维廉
- 关键词：共振隧穿二极管金属-半导体-金属光电探测器单片光电集成
- SWITCHING CHARACTERISTICS AND ANALYSIS OF RESONANT TUNNELING DIODES
- 2006年
- AlAs/InGaAs/AlAs 双障碍单人赛井结构的反响的通道二极管(RTD ) 被设计并且制作。设备在房间温度显示出 4:1 的当前电压的特征 withpeak 山谷水流比率。RTD 的散布参数被使用一个 HP8510 (C) 网络分析器测量。相等的电路参数被恰当、优化的曲线获得。交换时间的 RTD 用测量电容和平均否定微分电阻被估计。样品的最小的上升时间被估计是 21 ps。
- 张世林朱怡郭维廉
- 关键词：等效电路开关时间S参量
- 基于RTD和HEMT的单稳多稳转换逻辑(MML)模拟
- 2005年
- 用 PSpice对一种由串连的 RTD和 HEMT组成的单稳多稳转换逻辑 (MML)电路进行了模拟。基于自行研制的 RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数 ,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在 MML电路中实现门函数逻辑的原理并由模拟得以证实。
- 李益欢梁惠来
- 关键词：谐振隧穿二极管高电子迁移率晶体管
- 光控单稳-双稳转换逻辑单元(英文)
- 2004年
- 用光电晶体管替换 HEMT作为输入端 ,结合 RTD可以构成新的光控逻辑单元 ,它具有光电流开关和自锁功能 ,该功能在实验及电路模拟中得到证实 .在此基础上 ,若以异质结光电管 (HPT)和 RTD集成 ,可以设计和制作诸如 D型触发器等不同功能的光控逻辑电路单元 .
- 梁惠来郭维廉张世林牛萍娟钟鸣齐海涛
- 关键词：光控
- 谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析(英文)
- 2004年
- 讨论了谐振隧穿二极管 (RTD)的两种微波等效电路模型 :类江崎隧道模型 (QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异 ,并用最小二乘法拟合实验数据 ,提取了两种模型的电路参数 .理论分析和对拟合结果的比较都说明 QWITM比 QETM更加精确 ,而提取到的 QWITM的电路参数的合理性也证明了这一点 .在此基础上计算了阻性频率 f R,并简单介绍 f R
- 钟鸣张世林郭维廉梁惠来毛陆虹
- 关键词：RTD
- 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析被引量：5
- 2002年
- 用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。
- 张世林牛萍娟梁惠来郭维廉赵振波郝景臣王文君周均铭黄绮
- 关键词：频率特性RTDS参数
- MSM-PD与RTD光电集成的模拟被引量：1
- 2002年
- 设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
- 梁惠来辛春艳郭维廉王振坤
- 关键词：谐振隧穿二极管光电集成
- 共振隧穿二极管的设计和研制被引量：8
- 2002年
- 用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。
- 王振坤梁惠来郭维廉牛萍娟赵振波辛春艳
- 关键词：共振隧穿二极管纳米电子器件砷化镓分子束外延
