广东省重点攻关基金(ZKM01401G)
- 作品数：5 被引量：23H指数：2
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- 直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究被引量：2
- 2004年
- 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
- 樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆
- 关键词：感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管化学气相沉积法等离子体参数
- 等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
- 2010年
- 采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
- 郭超峰陈俊芳符斯列薛永奇王燕邵士运赵益冉
- 关键词：化学气相沉积GAN
- CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究被引量：2
- 2003年
- 用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。
- 赵智昊陈俊芳黄钊洪吴先球熊予莹
- 关键词：等离子体干法刻蚀磁传感器
- 纳米粉体材料氮化硅的ICP制备技术和红外光学特性被引量：2
- 2004年
- 采用ICP等离子体化学气相沉积技术,用硅烷和氮气为反应气体合成氮化硅纳米粉体.利用朗缪尔探针诊断了反应室内等离子体参数,得到不同位置、不同功率和不同气压下等离子体密度的变化规律,等离子体密度随着功率的增大而增大,随着气压的升高而减小,由于离子鞘层的存在,提供了局部等离子体密度稳定的区域.利用傅立叶红外光谱仪分析了氮化硅纳米粉体红外光谱和键态结构的特性,结果表明:氮化硅的表面特性和纳米材料的表面效应导致富氧层的存在.
- 赵文锋陈俊芳吴先球熊予莹符斯列樊双莉
- 关键词：纳米粉体材料氮化硅ICP等离子体化学气相沉积陶瓷材料
- 等离子体参数诊断及其特性研究被引量：17
- 2004年
- 利用朗缪尔探针,诊断了Pw=650W、Im=145A、p=0 1Pa条件下在微波电子回旋共振等离子体增强有机金属化学气相沉积ECR-PEMOCVD装置反应室中ECR等离子体密度和电子温度的空间分布规律并分析了磁场对等离子体分布的影响.上游I区的等离子体受磁场梯度影响、按磁场位形扩散且等离子体分布不均匀;下游II区的等离子体具有良好的径向分布均匀性.下游Ⅱ区z=30cm、直径为16cm区域内等离子体密度均匀性达到了96 3%.这种大面积均匀分布的等离子体在等离子体加工工艺中具有广泛的应用.
- 符斯列陈俊芳吴先球赵文峰樊双莉马涛
- 关键词：电子温度离子密度
