国家自然科学基金(60301006)
- 作品数：5 被引量：29H指数：3
- 相关作者：于映罗仲梓吴清鑫翁心桥张春权更多>>
- 相关机构：福州大学厦门大学东南大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用被引量：15
- 2006年
- 氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.
- 于映吴清鑫罗仲梓
- 关键词：氮化硅薄膜杨氏模量MEMS射频开关
- 硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用被引量：3
- 2007年
- 介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。
- 王培森于映罗仲梓彭慧耀
- 关键词：电流特性电荷分布
- 接触式串联射频MEMS开关的工艺研究被引量：5
- 2004年
- 本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关 ,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构 ,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜 ,溅射Au制作共平面波导 ,聚酰亚胺作为牺牲层 ,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层。研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺 ,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响。
- 于映罗仲梓翁心桥
- 关键词：共平面波导刻蚀工艺射频开关MEMS开关PECVD
- PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究被引量：5
- 2005年
- 采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
- 吴清鑫于映罗仲梓陈光红张春权杨渭2
- 关键词：PECVD氮化硅聚酰亚胺残余应力
- PECVD法生长氮化硅薄膜及其微结构梁特性的研究被引量：2
- 2012年
- 采用化学气相沉积法(PECVD)在石英基片上制备氮化硅薄膜,应用MEMS工艺将氮化硅薄膜制作成双端固定的微结构梁,纳米压痕仪测量氮化硅薄膜的杨氏模量表明其值在136～172 Gpa之间,用曲率半径法测试薄膜的残余应力,并对微结构梁的弹性系数进行计算,结果表明弹性系数值在11.4～57 N/m.之间,根据实验所得弹性系数对微结构梁的驱动电压进行计算,其驱动电压在32.8～73V之间,微结构梁的实际驱动电压测得为34～60V。
- 于映张彤
- 关键词：氮化硅薄膜杨氏模量残余应力
