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国家重点基础研究发展计划(2006CB92200)

作品数：2 被引量：5H指数：1
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相关领域：理学化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇单分子
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运性质
  • 1篇异构
  • 1篇三聚氰胺
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇氰胺
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇化学沉积
  • 1篇分子
  • 1篇PULSED...
  • 1篇SOLAR_...
  • 1篇CIGS
  • 1篇ZNS

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇杨金龙
  • 1篇侯建国

传媒

  • 1篇Chines...
  • 1篇中国基础科学

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Pulsed Laser Deposition ZnS Buffer Layers for CIGS Solar Cells被引量：4
2009年
多晶的 ZnS 电影被搏动的激光免职( PLD )在 20 ， 200 ， 400 ，和 600 °C 的不同底层温度在不同生长条件下面在石英玻璃底层上准备，它是扔的化学洗澡( CBD )的一种合适的选择 CdS 作为在 Cu 的缓冲区层(在里面， Ga ) Se 2(帝国参谋总长)太阳能电池。X 光检查衍射研究显示这些电影与锌闪锌矿结构是多晶的，他们沿着立方的阶段 β-ZnS (111 ) 展出优先的取向方向，哪个与由 ZnS 电影由脉搏 plating 技术扔了的 Murali 的 wurtzite 结构的结论的冲突与 wurtzite 是多晶的结构。成年电影的拉曼系列在通常在立方的阶段 β-ZnS 混合物观察的约 350 厘米 −1, 显示出一个 1 模式。平面并且代表性的形态学被扫描电子观察显微镜。稠密的、光滑的、一致谷物通过 PLD 技术在石英玻璃底层上被形成。PLD 扔的 ZnS 的谷物尺寸是比由常规 CBD 方法的 CdS 的小得多的，它作为有害房间性能的主要原因被分析。ZnS 电影的作文被 X 光检查荧光也测量。在这个工作获得的典型 ZnS 电影在 stoichiometric 和仅仅小数量附近 S 富有。在不同温度的精力乐队差距被吸收光谱学测量获得，它与增加免职温度从 3.2 eV 增加到 3.7 eV。ZnS 让一个更宽的精力乐队比 CdS (2.4 eV ) 豁开，它能提高光电的房间的蓝反应。这些结果出现这些代用品缓冲区层材料高质量通过一种所有干燥的技术被准备，它能在帝国参谋总长薄电影太阳能电池的制造被使用。
Pai-feng LuoGuo-shun JiangChang-fei Zhu
关键词：脉冲激光沉积化学沉积
单分子电子输运性质的设计与调控被引量：1
2010年
本研究通过实验结合理论研究,展示了如何利用一系列巧妙的设计与精确的控制,实现对吸附在Cu(100)表面的单个三聚氰胺分子疏运性质的有效调控。室温下三聚氰胺分子吸附到Cu(100)表面时会与表面反应脱去两个氢原子,从而与表面铜原子成键形成与表面垂直的吸附构型。分子的输运曲线表现为正负电压下对称的特征。通过扫描探针对其操控诱导了三聚氰胺分子的异构化,其电子输运特性显示出明显的整流效应。扫描探针注入的非弹性隧穿电子可以进一步诱导其顶端N-H键的可逆转动,引起电流在低电导和高电导间转换,实现了单分子机械开关效应。从而在单个分子结构上既实现整流效应又实现机械开关效应,实现了在单个分子上的双功能集成。
杨金龙侯建国
关键词：异构三聚氰胺
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