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教育部重点实验室开放基金(SYSJJ2005-12)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：杨晟赵修建夏冬林徐慢更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇诱导法
  • 1篇退火
  • 1篇金属
  • 1篇金属铝
  • 1篇快速退火
  • 1篇硅薄膜

机构

  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇徐慢
  • 1篇夏冬林
  • 1篇赵修建
  • 1篇杨晟

传媒

  • 1篇感光科学与光...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜被引量：8
2006年
以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为poly-Si薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.
夏冬林杨晟徐慢赵修建
关键词：快速退火
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