内蒙古自治区自然科学基金(2013ZD02) 作品数:13 被引量:11 H指数:2 相关作者: 闫祖威 石磊 包锦 闫翠玲 韩军 更多>> 相关机构: 内蒙古农业大学 内蒙古大学 更多>> 发文基金: 内蒙古自治区自然科学基金 国家自然科学基金 博士科研启动基金 更多>> 相关领域: 理学 更多>>
三元混晶三层系统的表面和界面声子极化激元 2014年 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性三元混晶薄膜/极性二元半导体衬底三层系统的表面和界面声子极化激元,以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明:与二元晶体三层系统以及三元混晶单层薄膜不同,在三元混晶三层异质结系统中存在五支表面和界面声子极化激元模,这五支表面和界面模的频率曲线位于二元晶体和三元混晶的体声子极化激元的禁带区间内,且其能量随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来. 包锦 闫翠玲 闫祖威关键词:三元混晶 导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应 被引量:2 2013年 采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较。结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降。当电子面密度n s=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R>10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值。结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献。 曹艳娟 闫祖威 石磊关键词:量子点 束缚极化子 外电场作用下球形量子点的光学性质 被引量:2 2016年 在有效质量近似下,运用变分法研究了外电场作用下球形量子点GaN/Al_xGa_(1-x)N的光吸收系数,数值计算了基态和第一激发态的波函数和能级,获得了吸收系数随电场、组分、量子点尺寸以及光强的变化关系.结果表明,随电场强度和量子点尺寸的增加,总吸收系数曲线峰值的位置向长波方向移动,总吸收系数曲线峰值降低;随着Al组分的增加吸收峰发生蓝移,总吸收系数峰值升高;总吸收系数随着光强的增加吸收峰值降低. 韩军 闫祖威 石磊关键词:量子点 电场 三元混晶三层薄膜系统的表面和界面声子极化激元 2016年 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶三层薄膜系统的表面和界面声子极化激元.以Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族三元混晶三层薄膜系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随三元混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,由于表面和界面数量的增加,与三元混晶量子阱和双层薄膜系统不同,在Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnSe/Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe三层薄膜系统中分别存在十支和八支表面和界面模,且三元混晶的组分和薄膜厚度变化时,表面和界面声子极化激元模的频率随之呈非线性变化,其色散曲线也很好地表征了三元混晶的"单模"和"双模"性. 包锦 闫祖威关键词:三元混晶 半导体量子点中电子-声子相互作用及相关问题的理论研究 2018年 半导体量子点由于其自身特殊结构而具有一系列量子效应,表现出许多常规材料所没有的物理特性,在光电子器件、太阳能电池,乃至医学、生物学等诸多领域宵及其重要应用而倍受人们重视。内蒙古农业大学闫祖戚教授领衔的科研团队经过几年的不懈努力,关键词:半导体量子点 电子-声子相互作用 光电子器件 量子效应 物理特性 科研团队 三元混晶异质结系统的界面声子极化激元 被引量:1 2013年 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶异质结系统GaAs/Al0.4Ga0.6As和GaN/Ga0.35In0.65N中的界面声子极化激元,获得了界面声子极化激元模的色散关系以及界面模的频率随混晶组分的变化关系.结果表明:三元混晶异质结系统中存在三支界面声子极化激元模,且这三支界面模的频率随混晶组分呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来. 闫翠玲 包锦关键词:异质结 三元混晶 三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元 被引量:2 2014年 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现. 包锦 闫翠玲 闫祖威关键词:三元混晶 导带弯曲对球形量子点光学性质的影响及压力效应 被引量:2 2014年 在有效质量近似下,采用三角势近似异质结界面处导带弯曲,并计及流体静压力效应,利用变分原理研究了有限高势垒GaN/AlxCa1-xN球形量子点杂质态一阶线性和三阶非线性光吸收系数随着电子面密度及流体静压力的变化关系.数值计算结果指出,随电子面密度的增加,吸收系数峰值的位置向短波方向移动(即蓝移),且一阶线性吸收峰随之增高,三阶非线性吸收峰随之降低;随压力的增加,吸收系数峰值的位置先向长波方向移动(红移),然后向短波方向移动(蓝移),且一阶线性吸收峰随之降低,三阶非线性吸收峰随之升高.结果表明,压力效应是明显的,导带弯曲效应是不可忽略的. 裴立群 闫祖威关键词:球形量子点 薄膜厚度对三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元的影响 2015年 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/半无限大极性二元半导体衬底构成的四层异质结系统的表面和界面声子极化激元的影响,以GaAs/Al0.4Ga0.6As四层异质结系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的频率随薄膜厚度的变化关系.结果表明:三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且当薄膜厚度发生变化时,只对位于其表面或界面处的极化激元模有影响,对其余的极化激元模几乎没有任何影响. 包锦 闫翠玲 闫祖威关键词:三元混晶 氮化物半导体量子点核-壳结构杂质态的结合能 被引量:2 2019年 在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了GaN/AlxGa1-xN量子点核-壳结构中杂质态结合能,计算了该结构中杂质态结合能随量子点核-壳结构核尺寸、壳尺寸、Al组分以及杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随着量子点半径(核和壳尺寸)的增加单调减小;当杂质位置到量子点中心距离d增加时,杂质态结合能呈现先增大后减小的趋势,出现一极大值;杂质态结合能随Al组分的变化受杂质位置影响较大,呈现不同的变化趋势,且变化比较明显. 李硕 石磊 闫祖威关键词:球形量子点 杂质态 结合能