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国家自然科学基金(61076030)

作品数:6 被引量:11H指数:2
相关作者:陈晓飞林双喜邹雪城张力沈军更多>>
相关机构:华中科技大学武汉工程大学武汉芯泰科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇放大器
  • 2篇线性度
  • 2篇功率
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇放大器设计
  • 2篇CMOS
  • 1篇单相
  • 1篇单相BOOS...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电池
  • 1篇电池组
  • 1篇电流
  • 1篇噪声系数
  • 1篇阵列
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...

机构

  • 5篇华中科技大学
  • 3篇武汉工程大学
  • 1篇武汉芯泰科技...

作者

  • 5篇陈晓飞
  • 3篇林双喜
  • 2篇邹雪城
  • 2篇沈军
  • 2篇张力
  • 1篇李小晶
  • 1篇张科峰
  • 1篇王涛
  • 1篇邹俊

传媒

  • 2篇华中科技大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
On-chip power-combining techniques for watt-level linear power amplifiers in 0.18 μm CMOS
2015年
Three linear CMOS power amplifiers(PAs) with high output power(more than watt-level output power)for high data-rate mobile applications are introduced. To realize watt-level output power, there are two 2.4 GHz PAs using an on-chip parallel combining transformer(PCT) and one 1.95 GHz PA using an on-chip series combining transformer(SCT) to combine output signals of multiple power stages. Furthermore, some linearization techniques including adaptive bias, diode linearizer, multi-gated transistors(MGTR) and the second harmonic control are applied in these PAs. Using the proposed power combiner, these three PAs are designed and fabricated in TSMC0.18 m RFCMOS process. According to the measurement results, the proposed two linear 2.4 GHz PAs achieve a gain of 33.2 d B and 34.3 d B, a maximum output power of 30.7 d Bm and 29.4 d Bm, with 29% and 31.3% of peak PAE, respectively. According to the simulation results, the presented linear 1.95 GHz PA achieves a gain of37.5 d B, a maximum output power of 34.3 d Bm with 36.3% of peak PAE.
任志雄张科峰刘览琦李聪陈晓飞刘冬生刘政林邹雪城
关键词:CMOS功率放大器线性功率放大器功率合成器瓦级最大输出功率
带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计被引量:5
2013年
设计了一种400~800MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400~800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12dB,噪声系数为3.5~4.1dB,电压增益为18.7~20.5dB,在3.3V电压下功耗约为17.8mW.
陈晓飞李小晶邹雪城林双喜
关键词:低噪声放大器宽带噪声系数
一种提高分段式DAC线性度测试效率的方法
2015年
随着数模转化器(DAC)位数的增加,模拟量的步进值越来越小,数字万用表的精度和负载电阻的热效应成为影响DAC线性度测量的重要因素。基于分段式电流舵DAC的结构,结合其二进制和温度计译码电路的特点,从理论上提出了一种使用简码测试线性度的方法,并以一款分段式10 bit DAC为例,分别采用简码和传统的全码方法验证了它的微分非线性DNL与积分非线性INL。结果表明,简码测试和全码测试得到的DNL与INL曲线趋势一致,但简码测试效率高,仅占全码测试周期的1/8;另外简码测试减小了负载电阻温漂引入的误差,因此相比全码测试线性度的性能提高了0.1-0.2 LSB。
夏达方张科峰陈晓飞
关键词:微分非线性积分非线性
数字控制单相boost-PFC系统的优化设计被引量:4
2010年
提出一种具有低谐波失真、高功率因数、快速动态响应的数字PFC系统优化设计方法.从输入导纳的角度分析了影响电流波形失真的主要原因,提出一种在传统PI控制基础上结合前馈补偿的电流内环控制优化算法,减小输入电流谐波失真,提高功率因数;采用PI调节与惯性低通滤波相结合的电压外环控制方法,消除二次谐波影响,同时保证输出电压的快速响应.基于FPGA的实验结果验证了本方法的有效性,实验表明:本设计的功率因数校正电路总谐波失真为6.14%,功率因数可达99.85%.
陈晓飞王涛邹雪城林双喜
关键词:功率因数校正数字控制现场可编程门阵列前馈补偿
高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计被引量:1
2014年
CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%.
陈晓飞沈军张力林双喜
关键词:射频功率放大器CMOS线性度
基于UC3843的锂离子电池组均衡电路设计被引量:1
2014年
锂离子电池组中单体电池差异会严重影响电池组寿命。此处采用UC3843实现恒功率多路输出反激电源,利用多路TL431结合光耦实现各单体电池电压的采样反馈,同时实现了主动均衡结合被动均衡的新颖均衡结构。测试表明,效率高达78.8%,均衡总电流最大可达3 A。
陈晓飞邹俊沈军张力
关键词:电池组恒功率
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