深圳市基础研究计划项目(JC201005280565A)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 三栅FET的总剂量辐射效应研究
- 2013年
- 通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅鳍(FIN)宽度不同的三栅FET器件的总剂量辐射效应,分析陷阱电荷在埋氧层的积累和鳍宽对器件电学特性的影响。
- 刘诗尧贺威曹建明黄思文
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应
- 一维太赫兹光滤波器的模拟与制作(英文)
- 2012年
- 模拟并制作了基于光子带隙结构的一维太赫兹光滤波器.通过人工叠加方式制作一维周期性结构,以聚乙烯或聚四氟乙烯作为高折射率材料,用钻有圆孔的合金片作为空气层,利用太赫兹时域光谱技术测量样品在0.1～0.9 THz波段的透射谱.根据理论模拟结果,利用聚乙烯设计制作中心波长为0.3 THz的带阻滤波器,结构周期为400μm,占空比为0.5.测量的3 dB带宽为0.08 THz,与模拟结果0.07 THz基本吻合.
- 李玲廖晖黄镜蓁翟剑庞
- 关键词：太赫兹波光子带隙带阻滤波器透射谱时域光谱
