福建省教育厅科技项目(JA09007)
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
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- 基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计
- 2011年
- 基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路。利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能。与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。
- 魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
- 关键词：单电子晶体管表决器HSPICE仿真
- 自组织生长Ge量子点材料研究
- 2011年
- 利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.
- 魏榕山何明华
- 关键词：超高真空化学气相淀积GE量子点SI衬底正交实验
- HPT型Ge量子点红外探测器
- 2011年
- 异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量。为了提高HPT的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端HPT型Ge量子点探测器。室温条件下的测试结果表明,HPT型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压。-8 V偏压下,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47mA/W和0.11 mA/W。与纵向PIN结构量子点探测器相比,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别提高了104倍和78倍。
- 魏榕山何明华
- 关键词：GE量子点多晶硅发射极
- 基于SET/MOS混合结构的4-2编码器设计
- 2011年
- 基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性,实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑,并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器的编码功能。与纯CMOS编码器相比,该SET/MOS混合电路仅由2个PMOS管、2个NMOS管和2个SET构成,具有结构简单、尺寸小、集成度高的优点。
- 魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
- 关键词：单电子晶体管HSPICE仿真
- 基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计
- 2011年
- 基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能。该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个NMOS和1个多栅输入SET。与传统CMOS电路相比,SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。
- 陈锦锋魏榕山陈寿昌何明华
- 关键词：单电子晶体管HSPICE仿真
