全国教育科学规划课题(EBA090428)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
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- 内隐面孔记忆的编码机制被引量：4
- 2013年
- 为了探究内隐面孔再认在记忆形成过程中的认知加工状态,该实验以陌生面孔为刺激,采用事件相关电位（ERP）技术,并结合相继记忆（Dm）范式和迫选再认测验,把学习阶段的面孔分为相继记住、相继启动及相继忘记三类,以相继记住与相继启动的ERP差异为外显记忆Dm效应,以相继启动与相继忘记的差异为内隐记忆的Dm效应。结果表明,内隐记忆表现为400~500 ms额中央区负走向的Dm效应,可能反映了额叶皮层对信息的精加工过程,而外显记忆表现为400 ms开始顶区正走向的Dm效应,可能反映了记忆系统对加工后信息的自动登记过程。由此推测,只有经过额叶加工并被内侧颞叶自动登记的信息,随后才能被有意识地提取出来,而未进入内侧颞叶的信息在随后测验中不可能产生有意识地记忆提取现象,但储存的知觉表征可能触发微弱的记忆痕迹,从而产生内隐面孔记忆。
- 孟迎芳
- 内隐与外显记忆编码阶段脑机制的重叠与分离被引量：8
- 2012年
- 记忆包括编码和提取两个重要阶段,以往研究多关注内隐和外显记忆在提取阶段的脑机制分离,那二者在编码阶段的脑机制是否不同?为探讨这个问题,该实验采用两阶段的迫选再认方式,把学习项目区分成三类:随后被选择且告知为见过的项目(记住),随后被选择但告知为猜测的项目(启动)以及随后未被选择的项目(忘记)。结果表明,从200ms开始的颞区负走向Dm效应为内隐记忆(启动vs忘记)所特有,反映了对刺激的知觉加工过程,400～500ms前额区正走向的Dm效应为外显记忆(记住vs忘记)所特有,反映了对刺激的精细加工过程,而200～300ms中央区及600ms开始的顶区负走向的Dm效应为两种记忆类型所共有,它们分别反映了对刺激的注意状态以及把编码后的刺激信息登记进相应记忆系统的过程。因此,内隐记忆与外显记忆在编码阶段的脑机制既存在着分离,也存在着重叠的现象。
- 孟迎芳
- 关键词：内隐记忆外显记忆
