模拟集成电路国家重点实验室开放基金(51439010804QT0101)
- 作品数：10 被引量：15H指数：2
- 相关作者：金冬月谢红云张正元陈光炳张静更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
- 2007年
- 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。
- 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：硅锗异质结双极型晶体管
- UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术被引量：1
- 2011年
- 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平坦度的影响。结果表明,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性负反馈,可以使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿了晶体管本身高频增益的下降,同时,也提高了整个电路的稳定性。采用这种反馈结构,设计了一款3～10 GHz超宽带低噪声放大器。仿真结果表明,该放大器在整个频带范围内无条件稳定,传输增益较高,增益平坦度较好,噪声系数较低,是一款无条件稳定并有着较好增益平坦度的超宽带低噪声放大器。
- 张东晖张万荣金冬月谢红云丁春宝赵昕
- 关键词：增益平坦化稳定性低噪声放大器
- 微波功率SiGe HBT研究进展
- 2006年
- Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。
- 张万荣张蔚金冬月谢红云肖盈王扬李佳沈佩
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管微波功率器件
- SiGe/Si HBT低频噪声特性研究被引量：2
- 2006年
- 对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。
- 张万荣高攀金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管低频噪声
- SiGe/Si HBT高频噪声特性研究被引量：4
- 2006年
- 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
- 张万荣邱建军金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE异质结晶体管
- 射频功率HBT自加热效应及补偿方法被引量：2
- 2006年
- 从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。
- 金冬月张万荣吴春瑜
- 关键词：异质结双极晶体管自加热效应I-V特性镇流电阻
- 多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
- 2006年
- 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
- 张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
- 版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响被引量：2
- 2006年
- 从实验上研究了版图尺寸对Si／SiGeHBT高频噪声特性的影响。结果表明，在现有工艺条件下，减少外基区电阻（即减少发射极与基区间距），对降低高频噪声很显著。增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻，降低高频噪声。发射极条宽从2μm减少为1μm，对噪声的改善很有限。对1μm或2μm条宽，40μm条长的5个基极条或9个基极务的SiGeHBT，在片测试表明，频率从0．4GHz增加到1．2GHz，噪声系数在2．5～4．6dB之间变化。
- 张万荣沙永萍谢红云刘颖张静张正元刘伦才刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管
- 功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
- 2006年
- 测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下，在输出特性曲线上观察到了负微分电阻（NDR）特性。结果还显示，电流增益-Early电压积与温度的倒数（1／T）呈线性关系，这对模拟电路应用是很重要和有用的。
- 张万荣王扬金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管温度特性
- SiGe HBT的高频噪声相关性模型
- 本文对四种现有的考虑了集电极与基极电流散粒噪声之间相关性的SiGe HBT高频噪声模型:标准噪声模型(UNI)、两种SPICE噪声模型(SPN1,SPN2)以及热力学噪声模型,进行了分析和比较。以一个基于BiCMOS工艺...
- 沙永萍张万荣谢红云
- 关键词：高频
- 文献传递
