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陕西省教育厅科研计划项目(08JK450)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:张志勇赵武马晓龙刘涛翟春雪更多>>
相关机构:西北大学西安交通大学中国科学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目西安应用材料创新基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇HFCVD
  • 1篇单模
  • 1篇单模光纤
  • 1篇电机
  • 1篇电机控制
  • 1篇电机控制器
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇阵列
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇爬山算法
  • 1篇现场可编程
  • 1篇现场可编程门...
  • 1篇限位
  • 1篇门阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶体
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸

机构

  • 4篇西北大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇赵武
  • 3篇张志勇
  • 1篇贠江妮
  • 1篇邓周虎
  • 1篇闫军锋
  • 1篇翟春雪
  • 1篇屈亚东
  • 1篇刘涛
  • 1篇樊玎玎
  • 1篇马晓龙

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇光子学报
  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于NIOSⅡ的光纤几何参数测量
本文基于NiosⅡ处理器提出一种应用数字图像处理测量光纤相关几何参数的方法,用于光纤接续设备中。首先将采集到的原始图像进行边缘检测,得到光纤纤芯等的二值边缘图像;然后通过形态学处理提高图像质量获得可测量的矢量图像;最后应...
刘灏赵武马晓龙张志勇
关键词:单模光纤HOUGH变换参数测量
文献传递
HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响被引量:1
2009年
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响,当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时,薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400nm左右减小到40nm左右.
赵武张志勇翟春雪闫军锋邓周虎
关键词:纳米晶体SIC薄膜HFCVD
一种带有限位功能的步进电机控制器被引量:2
2011年
为了适应调焦系统中爬山算法的搜索复位和区域限定要求,对通用步进电机控制器进行了改进,使其可以利用位置感应电路的限位信号主动完成搜索复位和限位。步进电机控制器通过了功能仿真,并在可编程门阵列器件中进行了实验。结果表明该控制器实现了预期的功能要求,复位与限位功能正常。
刘涛赵武马晓龙张志勇
关键词:步进电机限位爬山算法现场可编程门阵列
采用热丝化学气相沉积法制备SiCN薄膜的研究
2010年
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状态为Si—N,Si—N—C,C—N,N=C和N—Si—C键,但是,没有观察到Si—C键,说明所制备的薄膜形成了复杂的网络结构。
赵武屈亚东张志勇贠江妮樊玎玎
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