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福建省自然科学基金(2004H054)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：李书平康俊勇林伟更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇英文
  • 1篇VASP
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇林伟
  • 1篇康俊勇
  • 1篇李书平

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN量子阱的微观特性(英文)被引量：8
2007年
采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。
林伟李书平康俊勇
关键词：INGANVASP
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