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国家自然科学基金(60567001)

作品数：32 被引量：39H指数：3
相关作者：杨宇王茺杨瑞东邓荣斌孔令德更多>>
相关机构：云南大学中国科学院红河学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省科技攻关计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 27篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇溅射
  • 8篇离子束
  • 8篇离子束溅射
  • 7篇SI薄膜
  • 6篇光致
  • 5篇发光
  • 5篇SI(100...
  • 4篇动力学
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇光致发光
  • 4篇分子
  • 4篇分子动力学
  • 3篇第一性原理
  • 3篇电子结构
  • 3篇动力学研究
  • 3篇子结构
  • 3篇溅射功率
  • 3篇分子动力学研...
  • 3篇薄膜生长

机构

  • 39篇云南大学
  • 6篇昆明理工大学
  • 6篇中国科学院
  • 5篇红河学院
  • 2篇昆明物理研究...
  • 2篇黔南民族师范...
  • 1篇南京大学
  • 1篇中南大学

作者

  • 31篇杨宇
  • 18篇王茺
  • 14篇杨瑞东
  • 7篇邓荣斌
  • 6篇孔令德
  • 6篇陈寒娴
  • 4篇王全彪
  • 4篇刘芳
  • 4篇宋超
  • 3篇陆卫
  • 3篇胡伟达
  • 3篇刘昭麟
  • 3篇王洪涛
  • 3篇崔昊杨
  • 2篇赵华
  • 2篇杨杰
  • 2篇杨洲
  • 2篇秦芳
  • 2篇陶东平
  • 2篇陈平平

传媒

  • 10篇功能材料
  • 5篇材料导报
  • 5篇人工晶体学报
  • 4篇物理学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇材料导报（纳...
  • 2篇粉末冶金材料...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇红外技术

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 5篇2008
  • 16篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
溅射生长Ge/Si(100)_(2×1)薄膜的分子动力学研究
2007年
以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟。运用双体分布函数与原子直观构型及原子轨迹法对结果进行了分析讨论。模拟表明,以上3种因素对薄膜微结构都有一定影响,但基底温度的影响最重要;重构基底的二聚体键打开对实现锗外延生长很重要,而二聚体键断开过程主要发生在下一层锗入射阶段,因而下一层锗入射阶段是上一层锗外延晶化的关键阶段。
陈立桥周少白杨瑞东杨宇
关键词：硅锗分子动力学薄膜生长
离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究被引量：1
2007年
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。
陈寒娴杨瑞东邓荣斌秦芳王茺杨宇
关键词：离子束溅射
Si_3P_4和Ge_3P_4电子结构及光学性质的第一性原理研究
2014年
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。
刘芳桑田赵华周武雷杨宇
关键词：光学性质第一性原理
应力导致InAs/In_(0.15)Ga_(0.85)As量子点结构中In_(0.15)Ga_(0.85)As阱层的合金分解效应研究被引量：2
2007年
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAsDWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.
王茺刘昭麟陈平平崔昊杨夏长生杨宇陆卫
关键词：光致发光光谱
磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究被引量：5
2007年
采用磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品。用室温光致发光(PL)、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征。结果表明:Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显。
宋超孔令德杨宇
关键词：量子限域效应光致发光磁控溅射
重构表面上Si薄膜生长的模拟研究
建立了 Si(100)-(2×1)表面上 Si 薄膜生长的 Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究。结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高...
王全彪杨瑞东王茺杨宇
文献传递
Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的模拟
2007年
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的K inetic Monte Carlo(KMC)模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究。结果表明:吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0AeT/C。在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高。随入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变,表面扩散的各向异性越显著。
王全彪杨瑞东杨宇
关键词：SI薄膜
Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究被引量：2
2008年
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。
杨瑞东陈寒娴邓荣斌孔令德陶东平王茺杨宇
关键词：埋层纳米晶粒
硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况被引量：2
2009年
Si基探测器与硅读出电路的单片集成不仅使光电芯片在性能上得到重要改善,还可极大地降低成本。在对量子阱、量子点原理描述的基础上,综述了它们应用于薄膜红外探测材料的研究进展,提出了近期工作的重点。
杨宇王茺
关键词：硅量子点
纳米Ge薄膜的制备及光致发光特性研究被引量：2
2005年
采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜。应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构。结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移。用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响。
高立刚杨宇
关键词：磁控溅射拉曼散射X射线衍射光致发光
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