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(1-3x)NBT-2xKBT-xBT系无铅压电陶瓷性能研究R&D被引量：22: 2004年; 通过XRD分析,发现该体系陶瓷都能形成单一的钙钛矿型固溶体,并在0.025≤x≤0.035范围内具有三方和四方共存结构,为该体系的准同型相界。当x=0.035时,陶瓷的压电常数d33达到150 pC/N,平面机电耦合系数kp达到0.297 7,均高于相应两元体系的压电性能。测定了该体系陶瓷材料的介电常数–温度曲线和电滞回线,发现该体系陶瓷的介电温谱都存在两个介电反常峰,分别对应于陶瓷材料的铁电–反铁电和反铁电–顺电相变。同时,该体系陶瓷具有弛豫铁电体性质。; 陈文李月明周静徐庆王燕孙华君徐任信; 关键词：钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷压电性能

Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3体系的电子结构与极化特性被引量：5: 2004年; 　采用自洽场离散变分Xα计算方法,研究了ABO3型钙钛矿结构无铅压电陶瓷Na1 2Bi1 2TiO3体系的电子结构,分析了A,B位元素取代对Na1 2Bi1 2TiO3压电陶瓷极化性能的影响.结果表明:NBT体系压电陶瓷材料存在自发极化,B位离子位移使铁电性增强,Ba,Sr与Mn离子A,B位复合取代可降低矫顽场、提高自发极化强度,从而提高材料的铁电性能,并通过实验对此结论进行了验证.; 陈文周静徐庆李月明孙华君闵新民; 关键词：电子结构变分钙钛矿结构自发极化极化特性

(1-x)Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-xNaNbO_3系无铅压电陶瓷的机电性能被引量：11: 2005年; 采用传统陶瓷的制备方法,制备了(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xNaNbO3(x=0～0.08)压电陶瓷。X射线衍射分析表明:所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。不同频率下陶瓷材料的介电常数温度曲线显示该体系材料具有典型的弛豫铁电体特征,且随着x 的增加,其弛豫性特征愈明显。室温下陶瓷材料的饱和电滞回线表明:所研究组成均为铁电体,材料的剩余极化强度Pr在x=0.02时具有最大值。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数Kp随着x值的增加先增加后降低,在x=0.02时,陶瓷的d33=88pC/N,Kp=0.1792,为所研究组成中的最大值,材料的介电常数εT33/ε0和介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。; 李月明陈文徐庆方斯琴顾幸勇; 关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷压电性能介电性能

Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3基无铅陶瓷的铁电相变和弛豫特性研究进展被引量：8: 2005年; 综合介绍了Na_(0.5)Bi_(0.5)Ti O_3(sodiumbismuth titanate,NBT)基无铅铁电材料在铁电相变和弛豫特性方面近年来国内外的研究进展。介绍了温度变化对NBT铁电性能的影响以及产生弛豫相变的机理。此外,结合本课题的研究成果,介绍了不同含量BaTi O_3和K_(0.5)Bi_(0.5)Ti O_3及其它化合物取代后对NBT基铁电相变和弛豫特性的影响。指出了在提高压电性能的同时,大幅降低材料铁电反铁电相变,即材料的退极化温度,可能会影响到压电陶瓷材料的使用温度范围。; 李月明陈文徐庆周静顾幸勇廖润华; 关键词：钛酸铋钠铁电相变弛豫

Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系无铅压电陶瓷的介电压电性能被引量：14: 2005年; 研究了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系无铅压电陶瓷的介电、压电性能,通过XRD分析,发现随着x的增加,陶瓷的晶体结构由三方相逐渐转变为四方相,x=0.16～0.20范围内具有三方和四方共存相结构,为该体系的准同型相界(MPB),材料在MPB附近具有最佳的压电性能。测试了陶瓷的介电温谱,表明该体系陶瓷为弛豫型铁电体,电滞回线表明陶瓷在升温过程中发生铁电-反铁电-顺电相变。; 李月明陈文徐庆周静廖梅松孙华君; 关键词：钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷压电性能

Sb_2O_3掺杂(Na_(0.84)K_(0.16))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究被引量：10: 2006年; 采用传统陶瓷的制备方法，制备出Sb2O3掺杂的（Na0．84K0．16）0．5Bi0．5TiO3的无铅压电陶瓷。XRD分析表明，Sb2O3的掺杂量在0．1％～0．6％（质量分数）范围内都能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰，结合不同温度下的电滞回线观测，认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变，宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征。测试了不同组成陶瓷的压电性能，在Sb2O3掺杂量为0．1％时陶瓷的压电常数d33=124pC／N，为所研究组成中的最大值，平面机电耦合系数kp=24．87％，略有下降，材料的介电常数ε33^T／ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加。; 李月明陈文徐庆周静顾幸勇; 关键词：钛酸铋钠三氧化二锑无铅压电陶瓷压电性能介电性能

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湖北省自然科学基金(2002AB076)