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中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金(S20050803)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：伍智杨卫英刘铁李曼苹黄晓军更多>>
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发文基金：中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金更多>>
相关领域：化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇陶瓷
  • 1篇网络聚合物
  • 1篇聚氨酯
  • 1篇聚醚
  • 1篇互穿网络
  • 1篇互穿网络聚合...
  • 1篇环氧
  • 1篇环氧-聚氨酯
  • 1篇铬
  • 1篇锰

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇杨卫英
  • 2篇伍智
  • 1篇黄晓军
  • 1篇邹桂娟
  • 1篇李蓉
  • 1篇曾敏
  • 1篇李曼苹
  • 1篇刘铁

传媒

  • 1篇塑料工业
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
聚醚对环氧-聚氨酯互穿网络制备的影响被引量：2
2007年
研究了聚丙二醇醚(PPG)、聚四氢呋喃醚及二者的共聚醚分别形成的聚氨酯预聚体与低分子羟基化合物和环氧树脂的反应性,应用聚氨酯对环氧进行了IPN改性,测试了其红外光谱和冲击强度。结果说明:聚四氢呋喃醚型聚氨酯的反应活性太大,不适宜用于环氧树脂的IPN改性;聚丙二醇醚及其与聚四氢呋喃的共聚醚型的聚氨酯反应活性适中,适合作为环氧IPN改性的聚氨酯组分。采用PPG型聚氨酯对环氧进行了IPN改性,改性后的环氧体系冲击强度大大提高。
伍智杨卫英刘铁黄晓军李曼苹
关键词：聚醚聚氨酯环氧互穿网络聚合物
金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究被引量：1
2005年
研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响，初步分析了其影响原因与机理。结果表明：掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高，1300℃是其最佳金属化温度，温度降低和升高都会导致封接性能降低。在最佳温度，金属化层烧结致密，金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石（MnO·Al2O3）和少量硅氧化物构成的过渡层结构，从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起。温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞，元素氧化加剧，不利于过渡层的形成，导致封接性能大大降低。
伍智杨卫英李蓉曾敏邹桂娟
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