上海市科委科技攻关项目(035211036)
- 作品数：5 被引量：42H指数：4
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- 生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响被引量：12
- 2006年
- 碳纳米管（Carbon Nanotubes，CNTs）场发射平面显示器（Field Emission Display，FED）与其他显示器比较显示了其独特优点，被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分，其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30～60英寸（76．2—152．4cm）大屏幕显示器所用的厚膜工艺，即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列，研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性，找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高（750℃），CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果，验证了上述结论。
- 王莉莉孙卓陈婷
- 关键词：碳纳米管丝网印刷生长温度
- 电泳法制备碳纳米管场发射阴极的研究被引量：12
- 2006年
- 利用传统的电泳方法,在玻璃基片上成功地制备了场发射用碳纳米管阴极薄膜。用扫描电子显微镜和拉曼光谱观察了薄膜的形貌和结构,并测试了所制备的薄膜阴极的场发射特性。实验结果表明在玻璃的银浆导电层上沉积了一层较薄而均匀的碳纳米管膜,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,具有更好的发射均匀性。采用电泳方法制备场发射阴极具有简单易行,成本低廉等优势,可以避免丝网印刷工艺带来的有机杂质污染和发射不均匀等问题。
- 王莉莉孙卓陈婷陈奕卫
- 关键词：碳纳米管场发射阴极电泳沉积丝网印刷
- 磁控共溅射制备氮化钛铝薄膜及其机械性能的研究被引量：8
- 2005年
- 使用磁控共聚焦溅射技术并改变溅射过程中Al的功率来制备了一系列Al含量不同的氮化钛铝(TiAlN)薄膜。在溅射过程,薄膜沉积速率和Al含量随Al的溅射功率增加而增大,而薄膜的粗糙度减小。Al含量较低时(约21%),TiAlN薄膜的硬度和弹性模量都高于TiN薄膜。而Al含量较高时(>26%),薄膜的硬度和弹性模量也随含量增加减小。
- 倪晟孙卓赵强
- 关键词：TIALN薄膜磁控共溅射机械性能
- LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究被引量：7
- 2006年
- 采用低压化学气相沉积法（LPCVD）在镍片上直接制备碳纳米管（CNTs）薄膜，系统地研究了生长温度（500-800℃）对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响，并对此方法的生长机理进行了分析。当温度从500℃升高到650℃时，碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大，而温度继续上升，速率则明显减小。利用扫描电镜（SEM）和拉曼光谱仪表征和检测了碳纳米管薄膜的形貌和结构。碳纳米管的管径、长度、一致性和晶化程度随温度都有明显的变化。同时还对碳纳米管薄膜的场发射特性进行了测试，对其场发射机理进行了深入地探讨，表明温度对碳纳米管的性能有很大影响，并存在最优化的温度条件。实验结果表明碳纳米管薄膜的形貌、结构及其场发射性能可通过生长温度进行一定范围的控制。
- 陈婷孙卓郭平生王莉莉黄素梅
- 关键词：薄膜光学碳纳米管扫描电镜拉曼光谱
- 高能球磨对碳纳米管形貌及场致发射显示特性的影响被引量：4
- 2005年
- 用化学气相沉积法制备了碳纳米管,进行了不同时间的球磨处理.用扫描电镜、拉曼光谱对其形貌和结构进行了表征.对不同球磨条件下的碳纳米管制备成阴极,进行了场致发射特性的测试.结果表明,高能球磨会对碳纳米管的形貌、结构及场致发射性能有明显的影响.球磨时间为0.5～1 h时,可以使碳纳半管变短而均匀,且场致发射电性能与未处理时相近,即有低的阈值电场和高的发射电流密度,从而使发射时在阳极上产生的荧光点密度大大增加,发光均匀.但研磨时间过长会改变碳纳半管结构,使其非晶化或石墨化,导致其场致发射性能和显示效果变差.
- 张哲娟孙卓陈奕卫
- 关键词：光学材料碳纳米管场致发射显示高能球磨
