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吉林省科技厅资助项目(20080335)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王勇郝二娟芦鹏李特李再金更多>>
相关机构：长春理工大学吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省科技厅资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇绝缘
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇发射激光器
  • 1篇NM
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...

机构

  • 1篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇刘国军
  • 1篇曲轶
  • 1篇李林
  • 1篇李再金
  • 1篇李特
  • 1篇芦鹏
  • 1篇郝二娟
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器
2011年
介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。
李特郝二娟王勇芦鹏李再金李林曲轶刘国军
关键词：NM功率
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