国家自然科学基金(50061001)
- 作品数：28 被引量：160H指数：8
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- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学机械工程更多>>
- Al-Mg-Sc合金的价电子结构计算被引量：13
- 2002年
- 运用固体经验电子理论 (EET) ,计算掺微量 Sc前后的 Al-Mg合金的价电子结构 .计算表明 ,Sc的掺入将引起 Al-Sc,Mg-Sc原子的较强相互作用 ,形成了 Al-Sc晶胞偏聚区 ,从而提供了 Al3Sc相形成所需要的成分条件 ,由此导致析出大量的
- 刘慧高英俊
- 关键词：AL-MG-SC合金价电子结构钪
- Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究被引量：6
- 2005年
- 运用固体经验电子理论(EET),对Al-Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算。结果表明,沉淀相与基体的界面处能量连续性较差,γ相的表面结合能高于基体的表面结合能,在界面处形成能量势阱。因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子,引起γ相周围Ag原子的贫乏,出现γ相无沉淀带(PFZ)。
- 高英俊赵妙黄创高蓝志强
- 关键词：Γ相价电子结构沉淀相结合能原子经验电子理论
- Al-Zn合金GP区的价电子结构及界面能被引量：2
- 2005年
- 运用固体经验电子理论计算Al-Zn合金GP区的价电子结构,并运用其价电子结构的信息计算其与母相的界面能。结果表明,由于GP区晶胞最强键上的共价电子数远比纯Al晶胞最强键共价电子数多,Al原子极易与Zn原子形成共价键,所以在Al-Zn合金中即使以最快速度淬火,也能在淬火过程中形成GP区,且合金硬度在GP区开始形成时就稳步上升,而于中间相形成前达到最大值。运用EET理论计算界面能是简便且行之有效的方法。
- 韩永剑常素玲高英俊
- 关键词：价电子结构GP区界面能AL-ZN合金价电子数AL原子
- Al-Mg-Si合金L1_0型GP区的价电子结构分析
- 2006年
- 运用固体经验电子理论(EET),对Al-Mg-Si合金L10型GP区的价电子结构进行计算.结果表明,合金基体析出的共格GP区具有比基体更强的共价键络,可提升合金的整体键络强度,并对位错运动造成更大的阻力,从而使得合金得到强化、硬化.
- 王庆松王玉玲温新竹高英俊
- 关键词：AL-MG-SI合金GP区价电子结构
- Al-Mg-Si合金强化作用的键分析被引量：8
- 2005年
- 对Al-Mg -Si合金中主要析出相β(Mg2 Si)以及纯硅晶胞的键电子密度计算 ,表明硅晶胞中最强的Si-Si键nA 比β(Mg2 Si)相的Mg -Si最强键nA 要强 2倍 ,相应的最强键密度ρ也大 2倍 。
- 高英俊李云雯王态成黄创高侯贤华
- 关键词：AL-MG-SI合金MG2SI原子成键力学性能
- 含缺陷模一维光子晶体的超窄带滤波特性分析被引量：2
- 2007年
- 利用传输矩阵方法,计算含缺陷模的一维光子晶体中缺陷模产生的窄透过带的滤波特性。结果得出,缺陷模介质的折射率越小,产生的超窄滤波带滤波性能越好;一维光子晶体的两基元介质折射率比值越大,产生的透过带越窄;缺陷插入一维光子晶体正中间产生的滤波效果最好。
- 王玉玲高英俊王娜
- 关键词：传输矩阵
- 相场法模拟多个空间取向的棒状第二相粒子对晶粒长大的影响被引量：4
- 2010年
- 采用相场法研究多个空间取向的棒状第二相粒子以及圆形第二相粒子对基体晶粒长大的影响。结果表明:在晶粒长大过程中,绝大部分棒状第二相粒子位于晶界处并与晶界方向一致,圆形第二相粒子大多位于三晶交点处;第二相粒子表现出强烈的钉扎晶界的作用,极限晶粒半径可以用Zener关系表示;在第二相粒子面积分数和粒子尺寸相同的情况下,当第二相粒子面积分数较小(<5%)时,棒状与圆形第二相粒子对晶粒长大的钉扎作用没有明显差别;当粒子面积分数较大(>5%)时,棒状第二相的钉扎效果好于圆形第二相的钉扎效果。
- 罗志荣高英俊邱鸿广张海林
- 关键词：相场法晶粒长大第二相粒子
- 相场方法模拟变形合金的静态再结晶过程
- 针对合金的不同变形区域的特征和体系储存能分布不均匀的特点,构造多态的自由能函数,应用相场动力学方程模拟了变形合金的静态再结晶过程的微结构演化,系统地分析了再结晶转变动力学曲线和Avrami时间指数曲线,计算模拟所得的结果...
- 高英俊黄创高罗志荣
- 关键词：相场模型静态再结晶塑性变形
- Atomic bonding and properties of metastable phases in AI-Cu alloy
- 2008年
- GAO Ying-junZHANG Hai-linWEN Chun-liJIN XingHUANG Chuang-gao
- 关键词：原子键合亚稳相AI经验电子理论
- Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析被引量：6
- 2004年
- 运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.
- 高英俊黄创高王态成蓝志强韦银燕
- 关键词：AL-CU合金电子结构热稳定性电迁移
