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国家自然科学基金(10076008)

作品数:3 被引量:1H指数:1
相关作者:林理彬葛兆云彭能岭刘金玉檀柏梅更多>>
相关机构:四川大学中国工程物理研究院河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇光电导探测器
  • 1篇电化学
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇金属杂质
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇光电流
  • 1篇后表面
  • 1篇暗电流
  • 1篇SI
  • 1篇CMP
  • 1篇I-V特性
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇江苏科技大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 2篇葛兆云
  • 2篇林理彬
  • 1篇黄天暄
  • 1篇边娜
  • 1篇孙可煦
  • 1篇刘玉岭
  • 1篇牛新环
  • 1篇檀柏梅
  • 1篇刘金玉
  • 1篇彭能岭

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2005
  • 1篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaAs光电导探测器的双束质子改性
2005年
介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能。
葛兆云林理彬彭能岭孙可煦黄天暄
关键词:砷化镓光电导探测器
双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性被引量:1
2004年
 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011~1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。
葛兆云林理彬
关键词:质子探测器光电流暗电流
电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
2010年
论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。
边娜檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉
关键词:化学机械抛光金属杂质电化学
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