国家自然科学基金(10076008)
- 作品数:3 被引量:1H指数:1
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- 相关机构:四川大学中国工程物理研究院河北工业大学更多>>
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- GaAs光电导探测器的双束质子改性
- 2005年
- 介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能。
- 葛兆云林理彬彭能岭孙可煦黄天暄
- 关键词:砷化镓光电导探测器
- 双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性被引量:1
- 2004年
- 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011~1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。
- 葛兆云林理彬
- 关键词:质子探测器光电流暗电流
- 电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
- 2010年
- 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。
- 边娜檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉
- 关键词:化学机械抛光金属杂质电化学