国家自然科学基金(50972117)
- 作品数：7 被引量：29H指数：2
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- 反应诱导相分离热解法制备交联互通状多孔炭单体被引量：2
- 2012年
- 以酚醛树脂和乙二醇混合物经过反应诱导相分离热解后形成的多孔炭单体制备复杂形状SiC陶瓷。通过用场发射扫描电子显微镜和压汞仪对多孔炭进行表征,分别研究了乙二醇含量、催化剂含量以及预固化温度对多孔炭的孔形貌、尺寸及分布的影响。结果表明:乙二醇含量可以影响多孔炭单体的形成,以及孔的形貌、大小和分布;催化剂含量和预固化温度对多孔炭的影响不显著。
- 张刚肖泽文乔冠军
- 关键词：孔分布
- 一种SiC陶瓷支架增强铸铁基复合材料的制备(英文)
- 2012年
- 提出了一种基于一系列材料处理技术的新颖方法来制备SiC陶瓷支架增强铸铁基复合材料。考察了该复合材料的界面行为和磨损性能。结果表明:对具有分级大孔、交联网络结构和高气孔率特征的碳模板进行有效硅化可制备出高质量的SiC陶瓷支架。陶瓷增强体中高含量自由Si和金属基体中SiC的石墨化与活性元素(如Fe和Cr)的存在导致了强烈的界面反应,结果引起SiC陶瓷支架的严重分解。与金属基体材料的耐磨性能相比,由于SiC陶瓷支架的添加,该复合材料的耐磨性能得到明显提高。
- 刘桂武王倩乔冠军卢天健李林王娟
- 关键词：SIC陶瓷铸铁金属基复合材料
- 中间相炭微球为炭源反应形成SiC陶瓷及其结构与性能
- 2011年
- 以中间相炭微球和SiC粉为原料,模压渗硅制备了反应形成SiC陶瓷。计算了制品各相含量随SiC粉掺量、渗硅温度和保温时间改变的变化规律,同时测试了制品性能,并通过SEM观察了制品表面形貌。计算结果表明,随SiC粉掺量的增加,硅化后制品Si和SiC相体积分数提高,C相体积分数降低;渗硅温度的提高可降低制品开气孔率和提高密度,同时SiC相含量相对明显提高。性能测试结果表明,制品具有较低的电阻率(最低值0.36μΩ.m)和较高的强度(最高值359MPa)。腐蚀后表面SEM形貌表明,制品中存在2种不同粒径的SiC颗粒,说明存在不同的Si/C反应机理。
- 夏鸿雁王继平黄斌乔冠军
- 关键词：中间相炭微球反应机理
- 热裂解对介孔碳单体孔形态和相结构的影响被引量：1
- 2011年
- 以树脂为碳质前躯体通过聚合诱导相分离热解法制备了介孔碳单体,着重分析了热裂解对碳单体孔形态以及相结构的影响。结果表明,热裂解的影响可分为2个阶段:具有一定有序态结构的聚合物开始热裂解形成类石墨的片层结构阶段,除了孔径和孔壁稍有收缩,碳单体的组织形貌较好的继承了热裂解前的组织形貌;石墨化程度加深阶段,碳单体平均孔径随热裂解温度上升稍有增加。热裂解后不同工艺条件下制得的碳单体的孔隙度呈不同程度的减小,减小率在3.6%～48.1%之间。相对于固化温度,热裂解对不同固化催化剂含量下制得的碳单体孔隙度的影响更显著。
- 徐顺建刘桂武
- 关键词：介孔碳热裂解相结构
- 等离子活化烧结过程的温度分布研究
- 2011年
- 以导电性的石墨和绝缘性的氧化铝为测试对象,对等离子活化烧结过程中试样和模具所组成体系的温度分布进行了理论分析和实验研究.结果表明,在200～800℃的测量范围内,石墨-模具体系和氧化铝-模具体系内均存在径向温度梯度,试样的温度均高于模具外壁的温度,2种体系的径向温差随温度的升高成抛物线趋势增大.在同一温度下,石墨-模具体系的径向温度梯度大于氧化铝-模具体系的径向温度梯度,2种体系内测温点与试样中心点之间的温差均随两点之间距离的增大而成抛物线趋势增大,这与理论分析结果是相一致的.
- 郭亚杰简文政金海云乔冠军
- 关键词：温度分布温度梯度
- 扩散结合Cu/Al叠层复合材料的界面结构与相生成机制被引量：15
- 2011年
- 采用等离子活化烧结技术将Cu箔和Al箔扩散结合制备出Cu/Al叠层复合材料。利用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),电子探针(EPMA)以及X射线衍射(XRD)的分析手段考察Cu/Al界面的微结构和相组成。并基于界面扩散反应的有效生成热理论和热力学分析探讨Cu/Al界面相的生成机制。结果表明:在400～500℃温度范围内,按照从铜侧到铝侧的顺序,界面由Al4Cu9,AlCu和Al2Cu金属间化合物层构成;根据有效生成热模型分析,Al2Cu相在界面最先形成。
- 郭亚杰刘桂武金海云史忠旗乔冠军
- 关键词：金属间化合物
- Cu和Al箔扩散结合界面相生长行为研究被引量：12
- 2012年
- 采用等离子活化烧结方法实现了Cu箔和Al箔的固相扩散结合,考察了673～773K温度范围内界面金属间化合物(IMCs)层的生成过程和生长动力学。结果表明:界面IMCs生成过程主要包括物理接触、IMCs形核、IMCs沿界面相连和IMCs层连续增厚4个阶段;界面主要由Al4Cu9、AlCu和Al2Cu层构成;各层厚度与反应时间的关系均符合抛物线规律,表明IMCs生长动力学由体扩散所控制;各层生长速率常数与反应温度之间满足Arrhenius关系,且整个IMCs界面层以及Al4Cu9、AlCu和Al2Cu各单层的生长激活能分别为80.78、89.79、84.63和71.12kJ/mol。
- 郭亚杰刘桂武金海云史忠旗乔冠军
- 关键词：金属间化合物
