科技部基础研究重大项目前期研究专项(2004CCA03700)
- 作品数：5 被引量：8H指数：1
- 相关作者：潘石吴世法都健张庆瑜王旗更多>>
- 相关机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：科技部基础研究重大项目前期研究专项更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>
- PSTM金属样品成像实验的数值模拟被引量：1
- 2006年
- 本文采用时域多分辨分析法(MRTD),并利用FDTD方法的完全匹配层(UPML)作为边界条件,对Eckert等人在实验中所使用的喷溅金属铝小块样品作了数值模拟分析,给出了在PSTM模型中喷溅金属铝小块样品的数值模拟的三维图像,并对试验结果和理论结果进行了比较和分析,验证了Eckert等人的实验。
- 王旗简国树林琳潘石
- 关键词：近场光学光子扫描隧道显微镜
- 超高密度光存储技术的进展被引量：1
- 2007年
- 本文介绍了光存储领域的现状及进展。目前,超高密度光存储技术主要包括三维体存储和近场光学存储。本文重点阐述了近场光学存储的原理,总结了几种近场光学存储系统的研究进展,分析了各种方法的优势以及存在的问题。最后展望了超高密度光存储技术的发展趋势。
- 李鑫潘石邢立伟
- 关键词：光存储近场光学探针
- Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变行为及其对光存储特性影响
- 2007年
- 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400nm增加到1000nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5mW、50ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果.
- 张庆瑜都健潘石吴世法
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜射频磁控溅射相变光学特性激光辐照
- 磁控溅射生长Cd_xZn_(1-x)O薄膜的表面形貌、结晶特性和光学性能研究被引量：1
- 2006年
- 本文采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)上制备了不同Cd含量的CdxZn1-xO的薄膜。利用电子探针(EPMA)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的成分、表面形貌和晶体结构进行系统表征。结果表明:CdxZn1-xO(0≤x≤0.179)薄膜具有c轴择优取向,随着Cd含量增加,薄膜半峰宽(FWHM)变大,表面粗糙度增加,当x=0.108时出现相分离。透射光谱测试表明,通过调节Cd含量实现了对CdxZn1-xO的薄膜能带的调节。
- 郭建成潘石孙成伟吴世法孙伟
- 关键词：磁控溅射
- 生长温度对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响被引量：5
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性。分析结果表明：室温沉积的薄膜为非晶态；沉积温度为100℃～250℃时，薄膜转变为晶粒尺度约14nm的面心立方结构；300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增，且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系。
- 都健潘石吴世法张庆瑜
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜射频磁控溅射表面形貌
