深圳市水务发展中长期战略研究项目(T201205)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- 生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响
- 2014年
- 利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构MgZnO薄膜,并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况。当生长温度从150℃升高到700℃时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(111)转变。在600℃以下,MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与晶格中Mg和Zn原子比例的变化趋势是一致的;而当温度升至700℃时,虽然MgZnO晶格中Mg和Zn原子比例降低,但由于平均晶粒尺寸变大,薄膜的光学带隙反而上升。在300℃和700℃晶格匹配的情况下,获得了单一(200)和(111)取向的立方MgZnO薄膜。
- 彭赛吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
- 关键词：MGZNO脉冲激光沉积光学带隙生长温度
- 氧气流量对Mg_x Zn_(1-x)O薄膜择优取向的影响被引量：1
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响。结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向;在沉积压强8.0 Pa时,随着氧气流量的增加,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致MgZnO薄膜的生长取向由(200)择优取向转变为(111)择优取向。当氧气流量过大(70 sccm)时,由于氧气分子迁移能的提高,MgZnO薄膜呈现多个不同生长取向。
- 邵玉坤韩舜吕有明曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮马晓翠
- 关键词：ZNOMGZNO脉冲激光沉积
- 不同Ar/O_2气压比例条件下立方MgZnO薄膜生长特性及紫外光吸收特性
- 2014年
- 利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备了立方结构MgZnO薄膜,研究了在不同Ar/O2气压比例条件下,立方结构MgZnO薄膜的生长取向、光学带隙和Mg/Zn含量比例的变化规律。当固定氧气分压为2Pa、通过注入惰性的Ar气使生长气压从2 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(111)转变。当生长气压从2 Pa升高到6 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙变窄。而当生长气压从6 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙反而变宽。通过XPS数据分析,不同生长气压下MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与薄膜Mg/Zn含量比例的变化规律不一致,MgZnO薄膜中Mg和Zn与O的结合情况的变化对薄膜的光学带隙也有影响。
- 韩舜彭赛曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮吕有明
- 关键词：ZNOMGZNO脉冲激光沉积紫外探测器
