教育部科学技术研究重大项目(0205)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究被引量：1
- 2005年
- 为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不 同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究．试验结 果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异．少数工艺下得到的MgO的(111) 衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132．2 V;而在其它的基板温度和 沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1％以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电 压均高于140 V．另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变．
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究
- 为了研究等离子体显示器（PDP）中MgO 介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO 介质保护膜,并利用X 射线衍射分析及放电试验对其进行了研究。试验结果表明:虽然各工艺下的...
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- 文献传递
- 电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究被引量：1
- 2005年
- 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。
- 郭滨刚刘纯亮刘柳范玉峰夏星
- 关键词：复合介质ZRO2晶格畸变衍射电子束
- PDP中Mg_(1-x)Ca_xO复合介质保护膜结晶取向研究被引量：1
- 2004年
- 为了研究CaO的加入对MgOPDP介质保护膜晶面择优取向的影响 ,使用不同CaO含量的MgO +CaO膜料 ,在不同的基底温度和沉积速率下进行电子束蒸发沉积 ,并对形成的Mg1-xCaxO膜进行了X射线衍射分析。结果表明 ,Ca含量越小 ,越容易形成〈111〉择优取向。在选取的所有基底温度和沉积速率下 ,纯MgO和Mg0 .96Ca0 .0 4O膜都形成了〈111〉晶面择优取向 ;Mg0 .93 Ca0 .0 7O膜 ,获得最强的 (111)衍射峰 ;而Mg0 .9Ca0 .1O膜中 ,在不同的工艺下 ,分别得到 (111) ,(2 0 0 )面以及无序多晶膜。通过X射线衍射分析还发现 ,在Mg1-xCaxO膜中 ,所有〈111〉择优取向的衍射峰 2θ的位置比纯MgO向负方向移动 0 2°～ 0 7° ,而且x越大 ,这种偏移越大。
- 夏星郭滨刚范玉锋刘纯亮
- 关键词：基底温度X射线衍射分析复合介质PDP沉积速率
- 沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响被引量：1
- 2006年
- 由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器(AC-PDP)的寿命、功耗和显示质量,所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的。本文利用电子束加热蒸镀法,在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的介质保护膜样品的微观结构和表面特征进行了表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:在沉积角度为15°下制备的MgO介质保护膜,薄膜的着火电压最低,晶粒最大,并且结晶取向最强。
- 范玉锋夏星刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器保护膜着火电压
