国家自然科学基金(60306005)
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
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- 用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
- 2006年
- 介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性。ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析。通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系。
- 杨利周毅张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀后处理工艺
- Design of a 3-5GHz BiFET mixer for ultra wideband application
- ＜正＞A 3-5 GHz UWB BiFET mixer is designed using standard Jazz 0.35um SiGe BiCMOS process.The presented BiFET mi...
- Song-Rui FengLiao-HuailinYan-TaoHuang-RuWang-Yang Yuan
- 文献传递
- 基于SOI的可变电容的特性分析被引量：1
- 2004年
- 提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响。在模拟中 ,还观察到了当栅氧厚度很薄时 ,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象。
- 延涛张国艳黄如王阳元
- 关键词：可变电容SOIISE
- 超薄体MOSFET的结构优化(英文)
- 2004年
- 对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U
- 王文平黄如张国艳
- 基于SOI衬底的射频电感优化设计被引量：2
- 2004年
- 比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 。
- 赵冬燕张国艳黄如
- 关键词：SOI衬底电感量品质因数
- 适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术被引量：2
- 2005年
- 提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌,得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系,为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础.
- 周毅杨利张国艳黄如
- 关键词：射频集成电路多孔硅集成电感品质因子
