您的位置： 专家智库 > >

中央高校基本科研业务费专项资金(JY10000925002)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：杨凌郝跃刘红侠王昊杨翠更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流崩塌
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇GAN高电子...
  • 1篇场板

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张金风
  • 1篇张进成
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇周洲
  • 1篇毕志伟
  • 1篇毛维
  • 1篇王冲
  • 1篇杨林安
  • 1篇马晓华
  • 1篇杨翠
  • 1篇王昊
  • 1篇刘红侠
  • 1篇郝跃
  • 1篇杨凌

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究被引量：3
2011年
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌.
毛维杨翠郝跃张进成刘红侠马晓华王冲张金风杨林安许晟瑞毕志伟周洲杨凌王昊
关键词：电流崩塌
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0