中央高校基本科研业务费专项资金(JY10000925009)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
- 2011年
- 根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型。基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进行了对比。结果表明在引入刃型位错之后,4H-SiC材料的带隙变窄,在靠近导带底部态密度出现了一个新的峰值,这主要是由位错芯处的悬挂键在禁带中引入了一个缺陷能级所致。
- 黄鹤张玉明汤晓燕张义门苗瑞霞
- 关键词：4H-SIC刃型位错第一性原理
- 4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型被引量：4
- 2011年
- 提出了一种基于物理的4H-SiCn-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移率模型的参数与界面粗糙度之间的数值关系.模拟结果表明:库仑散射机制主要在近表面处起作用;随着栅电压增大,表面粗糙散射所起的作用逐渐显著;较高掺杂的SiC MOSFET表面粗糙散射成为限制反型层迁移率的最主要散射机制.
- 汤晓燕张玉明张义门
- 关键词：反型层迁移率库仑散射
- 4H-SiC中基面位错发光特性研究被引量：2
- 2011年
- 本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC发光特性禁带宽度
