国家自然科学基金(10775102)
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
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- 相关机构：四川大学西南民族大学中国科学院更多>>
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- 正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量：4
- 2008年
- 本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息．本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究，运用该技术并结合深能级Arrhenius分析，得到EL2能级值为0．82±0．02eV．
- 张英杰邓爱红幸浩洋龙娟娟喻菁于鑫翔程祥
- 关键词：正电子半导体
- 生物光子学应用
- 2009年
- 生物光子学是光学技术与生命科学的交叉学科,可以在分子水平上研究细胞的功能和结构,包括生物系统的光子辐射以及这些光子携带的信息,用光子及其技术对生物系统进行检测、加工和改造等。激光扫描共焦显微术、双光子荧光显微术、近场光学扫描显微术和光镊等显微技术在生命科学研究中的应用非常重要。
- 侯俊芳邓爱红
- 关键词：生物光子学
- 钚中空位对氦泡生长影响的动力学Monte Carlo研究被引量：1
- 2010年
- 对于氦在金属中的行为特性研究,人们已经做了大量工作;但对于金属钚,这方面的工作仍然非常少.钚的自辐照效应可以在自身引入大量的空位和氦原子,这些空位及氦原子扩散、聚集,会对材料性能造成不良影响.本文采用动力学Monte Carlo(KMC)方法,分别建立了纯氦模型和空位模型,进行模拟研究,发现空位对氦泡生长速度、生长形态都有明显的影响.
- 余鑫祥邓爱红程祥周宇璐张英杰喻菁陈燕龙娟娟
- 关键词：钚氦空位
- 材料中He深度分布演化的Monte Carlo模拟研究被引量：2
- 2011年
- 基于He泡生长的迁移-合并机理,用Monte Carlo方法模拟了对材料进行等温退火过程中He深度分布的演化,探讨了不同参数对这一演化的影响.研究表明:材料中He泡的初始浓度和尺寸将影响He深度分布的变化,而退火温度则对演化速率起重要作用但对最终的He深度分布影响较小;随着反应的进行,整个系统的演化是逐渐趋缓的.
- 周宇璐李仁顺张宝玲邓爱红侯氢
- 关键词：HEMONTECARLO模拟
- 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究被引量：1
- 2010年
- 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.
- 陈燕邓爱红赵有文张英杰余鑫祥喻菁龙娟娟周宇璐张丽然
- 关键词：磷化铟正电子寿命谱电子辐照
- 电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究
- 2008年
- 对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。
- 薛智浩孙友梅常海龙刘杰侯明东姚会军莫丹陈艳峰
- 掺He钛膜中He泡的演化研究被引量：3
- 2012年
- 本文利用慢正电子束分析(SPBA)和透射电子显微镜(TEM)方法研究了钛膜内He相关缺陷的演化.实验结果表明:室温下,钛膜中的He主要形成均匀的小He泡.随着He浓度的增大,He泡的密度相应地增加.在973K高温退火后,在含高浓度He的钛膜样品中观测到大He泡的出现.实验结果表明迁移合并和较大He泡周围的级联融合共同作用导致了大He泡的形成.
- 王康邓爱红刘莉李悦周宇璐侯氢周冰王珊玲
- 关键词：慢正电子束
- 含He纳米钛膜的XRD研究被引量：2
- 2010年
- 本文采用直流磁控溅射方法,在He/Ar混合气氛中,通过分别改变He/Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜.利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究.结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He/Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02 nm减小到8.63 nm.随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势.而当沉积偏压从24 V增加到151V时,其平均晶粒尺寸基本不变.He引入引起了(002)晶面衍射峰向小角度移动,晶格参数c增加,而a不变.
- 喻菁邓爱红余鑫祥龙娟娟周宇璐陈燕
- 关键词：磁控溅射晶粒尺寸
- 磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析被引量：1
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氦的微结构。实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu(111)晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子柬分析(SPBA)技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.
- 周冰邓爱红张丽然周宇璐李悦陈燕
- 关键词：磁控溅射X射线衍射
