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国家自然科学基金(20073013)

作品数:18 被引量:26H指数:3
相关作者:庄思永曹立志焦家俊王晗梁笑丛更多>>
相关机构:华东理工大学中国乐凯胶片集团公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学更多>>

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 17篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇感光
  • 6篇颗粒乳剂
  • 5篇溴化
  • 5篇溴化银
  • 4篇碘化
  • 4篇碘化银
  • 4篇电导
  • 4篇电导率
  • 4篇电子电导
  • 4篇电子电导率
  • 4篇原子力显微镜
  • 4篇溴碘化银
  • 4篇晶体
  • 4篇感光乳剂
  • 4篇T-颗粒
  • 4篇T-颗粒乳剂
  • 4篇CN
  • 3篇电性能
  • 3篇形貌
  • 3篇乳剂

机构

  • 18篇华东理工大学
  • 1篇中国乐凯胶片...

作者

  • 18篇庄思永
  • 9篇曹立志
  • 6篇焦家俊
  • 5篇王晗
  • 5篇梁笑丛
  • 3篇戴晖
  • 3篇李光远
  • 2篇张大德
  • 2篇梁冰
  • 2篇陈晓洲
  • 1篇杨晓玲
  • 1篇陈晓州
  • 1篇杜满泉
  • 1篇孙健
  • 1篇朱伊萍
  • 1篇谢海泉
  • 1篇武永虹
  • 1篇梁玉

传媒

  • 8篇感光科学与光...
  • 8篇信息记录材料
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇华东理工大学...

年份

  • 2篇2005
  • 9篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究被引量:2
2005年
用原子力显微镜研究了 T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化 .观察结果表明 ,T-颗粒晶体表面存在很多突起 ,经曝光后这些突起高度增加 ,更集中 .掺入浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]后 ,T-颗粒晶体对光更敏感 ,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化 .同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响 .
曹立志梁笑丛焦家俊庄思永
关键词:原子力显微镜表面形貌
防灰雾剂对T-颗粒乳剂晶体表面形貌的影响
2004年
应用原子力显微镜对硫加金化学增感后的T 颗粒掺杂乳剂晶体表面形貌进行观察,直接测得了晶体颗粒的大小和厚度.颗粒表面精细结构观察显示样品表面并不平整,存在很多突起.这些突起呈线形平行排列,接近网格状.经曝光后突起变得更高,更集中.表面吸附足量的防灰雾剂后,晶体表面突起不明显.曝光后表面高度变化不大.
曹立志梁笑丛庄思永
关键词:原子力显微镜晶体形貌防灰雾剂
直流极化法对溴化银T颗粒乳剂电性能的研究被引量:2
2004年
采用Wagner直流极化法对溴化银T颗粒乳剂的电性能作了研究.研究结果表明,未经光照的溴化银T颗粒乳剂具有一定的电子电导率.与曝光后的溴化银T颗粒乳剂相比,未经光照的溴化银T颗粒乳剂具有更高的电子电导率.另外,在未经光照的卤化银乳剂微晶体中,如果添加防灰雾剂,其电子电导率会明显上升.感光乳剂电性能的变化反映出溴化银乳剂微晶体内自由电子与填隙银离子结合的状态.本文还从分子结构的角度探讨了四氮唑等防灰雾剂对溴化银乳剂微晶体自由电子与填隙银离子结合的阻滞作用.
焦家俊王晗曹立志李光远庄思永
关键词:溴化银电子电导率防灰雾剂
溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究
2004年
利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.
曹立志庄思永
关键词:电子电导率
微波照射对含碘溴化银乳剂的影响
2002年
曝光前,短时间微波照射可以提高溴碘化银感光胶片感光度。一段时间微波照射后,溴碘化银胶片感光度增感幅度不大。而且,微波照射溴碘化银乳剂,其碘的位置和含量与胶片最后的增感大小有关。曝光后,微波照射可以使潜影衰退。
陈晓洲戴晖谢海泉庄思永
关键词:微波照射微波潜影感光化学
改善高氯卤化银乳剂的高照度性能被引量:1
2003年
本实验制备了高氯卤化银立方体系列乳剂和高氯卤化银(100)晶面T颗粒乳剂,对高氯卤化银立方体乳剂进行了不同种类掺杂剂的掺杂试验.通过测定以上各乳剂在常规曝光和高照度曝光下的照相性能,表明了在高氯卤化银乳剂中掺杂碘化物、掺杂铱络合物和掺杂浅电子陷阱掺杂剂都可以不同程度地改善乳剂的高照度性能,几种改进措施的结合效果更好.
杨晓玲庄思永
关键词:掺杂
[Ru(CN)_6]^(3-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂被引量:5
2002年
研究了K4犤Ru(CN)6犦掺杂剂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响。当K4犤Ru(CN)6犦的掺杂量为3.1×10-8~3.1×10-9mol/g乳剂之间时,掺杂剂掺杂在乳剂的任意位置,乳剂感光度都有提高,表明K4犤Ru(CN)6犦是浅电子陷阱掺杂剂。掺杂位置接近表面或接近内核时效果相对较好,最佳的掺杂量为3.1×10-8mol/g乳剂。当掺杂剂的掺杂量小于3.1×10-10mol/g乳剂,且掺杂位置接近富碘区时,乳剂的感光度反而下降。
戴晖梁冰庄思永孙健张大德
关键词:溴碘化银T-颗粒乳剂掺杂浅电子陷阱
[Fe(CN)_6]^(4-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂被引量:11
2001年
本文研究了K4[Fe(CN) 6 ]掺杂对溴碘化银T 颗粒乳剂感光性能的影响 .结果表明 ,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响 .K4[Fe(CN) 6 ]的掺杂量在每克乳剂 3 1× 1 0 - 9-3 1× 1 0 - 11mol之间时 ,乳剂感光度都有提高 .最佳掺杂量为每克乳剂 3 1× 1 0 - 10 mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好 ,表明K4[Fe(CN) 6 ]是浅电子陷阱掺杂剂 .当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂 3 1× 1 0 8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时 。
戴晖梁冰庄思永孙健张大德
关键词:掺杂浅电子陷阱T-颗粒乳剂感光乳剂
原子力显微镜观察T-颗粒乳剂晶体形貌被引量:3
2003年
应用原子力显微镜对T 颗粒照相乳剂晶体表面形貌进行观察,直接测得样品的大小和厚度.得到的精细结构显示样品表面不是平坦的,而是呈现凸凹不平的结构,高低起伏最大可达5nm左右.样品经充分曝光后起伏增大到9nm左右,说明银原子簇优先在较活泼的凸起部位生成.
曹立志王晗焦家俊庄思永
关键词:原子力显微镜照相乳剂T-颗粒形貌
[Ru(CN)_6]^(4-)在溴化银立方体乳剂中的应用被引量:1
2004年
研究了 [Ru (CN) 6]4-在溴化银立方体乳剂中的掺杂 ,[Ru4(CN) 6]4-作为 1种浅电子陷阱掺杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量 ,并从理论上进行了初步探讨。
梁笑丛梁玉庄思永
关键词:溴化银乳剂
共2页<12>
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