国家高技术研究发展计划(2002AA312070)
- 作品数：24 被引量：61H指数：4
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- MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
- 2004年
- 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
- 俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
- 2005年
- 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
- 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱
- 隧道带间级联双波长半导体激光器热特性模拟被引量：9
- 2004年
- 介绍了隧道带间级联双波长半导体激光器的工作机理,分析了其热量产生的根源,利用有限单元法对热传导方程进行了数值计算,得到了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布,结果表明:随着时间的变化,有源区温度逐渐升高,靠近衬底的有源区温度略高一些,这是由于其远离热沉的原因。同时计算了不同占空比下器件内部的温度变化趋势,结果表明随着占空比增大,器件内部热量会逐渐积累,对器件特性会产生影响。
- 鲁鹏程李建军郭伟玲沈光地刘莹崔碧峰邹德恕
- 关键词：半导体激光器有限单元法占空比双波长隧道结热特性
- Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7
- 2005年
- 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。
- 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化
- 垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：8
- 2005年
- 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长.
- 渠红伟郭霞董立闽邓军达小丽徐遵图沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器增益谱谐振腔反射谱温度
- 新型长波长半导体激光器材料GaInNAs
- 2005年
- 对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评。通过材料性质的介绍,表明GaInNAs材料是一种很有前景的长波长半导体材料。同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较, 指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点。介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL 的器件研究情况。
- 俞波韩军李建军邓军廉鹏沈光地
- 关键词：GAINNAS氮化物VCSEL
- 隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究
- 2005年
- 对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20nm以上,阈值条件很难得到满足,器件很难实现激射。符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射。氧化孔径8.3μm器件,在11mA注入电流下,获得5mW的输出功率,斜率效率0.702mW/mA,激射波长970nm。
- 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器隧道再生边发射增益谱
- 新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式被引量：3
- 2003年
- 本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阀值电流更小、输出功率更大的器件。同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用。
- 朱文军郭霞廉鹏邹德恕高国沈光地
- 关键词：多有源区隧道再生VCSELS功率效率
- 射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性被引量：3
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。
- 鲁鹏程郭伟玲邹德恕刘莹崔碧峰李建军沈光地
- 关键词：半导体激光器射频磁控溅射腔面镀膜可靠性
- 大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器被引量：9
- 2004年
- 提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构 ,并制备出器件 ,其垂直发散角为 2 0°,阈值电流密度为 2 77A cm2 ,斜率效率在未镀膜时达到 0 80W A .
- 崔碧峰李建军邹德恕廉鹏韩金茹王东凤杜金玉刘莹赵慧敏沈光地
- 关键词：半导体激光器大光腔隧道再生发散角砷化镓
