浙江省科技攻关计划(2005C11042)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 高频高直流叠加Mn-Zn铁氧体DMR50B材料研制被引量：3
- 2010年
- 随着电子设备的小型化,现代高频电子技术需要使用高直流叠加和低功耗的MnZn软磁铁氧体材料。在DMR50材料的基础上,用传统的陶瓷法制备了可使用至3MHz、具有更低功耗、极优直流叠加特性的DMR50B铁氧体材料。通过对成份、掺杂、制备工艺及微结构的优化,其磁性能也得到了进一步提升。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m3左右。其截止频率fr在4MHz左右,并且在HDC=100A/m时其增量磁导率μΔ仍保持不变。另外,也研究了这种DMR50B新材料的各种电磁特性及微结构。
- 刘亚丕何时金
- 关键词：MN-ZN铁氧体直流叠加高频低功耗截止频率
- 高频高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料的性能被引量：1
- 2011年
- 高工作频率、低损耗和高直流迭加磁芯是决定电子器件体积和性能的主要因素。在开发出DMR50材料的基础上,采用低温烧结技术,用传统的陶瓷法工艺制备了可使用至3MHz的低功耗高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料DMR50B。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m3左右。材料在100℃时的Bm=430 mT,HDC=100A/m。材料的截止频率fr在4MHz左右,与用斯诺克定律计算出的结果相符合,并可用晶界模型解释。材料优异的性能是由其小于单畴临界尺寸3.8μm的均匀细晶粒结构(D=2.40μm)决定的。
- 刘亚丕何时金
- 关键词：高频低功耗截止频率
