国家高技术研究发展计划(2012AA03A704)
- 作品数：5 被引量：31H指数：3
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- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 回流次数和Ag含量对(Au-20Sn)-xAg/Cu焊接界面组织与剪切强度的影响被引量：1
- 2018年
- 以(Au-20Sn)-x Ag(x=0,0.5,1,2)作为焊料,将2块纯铜板进行回流焊接,研究回流次数与焊料中的Ag含量对(Au-20Sn)-Ag/Cu焊接界面的组织与剪切强度的影响。结果表明:一次回流焊接后,焊接界面组织由(Au,Ag,Cu)5Sn组成,回流次数增加到50次时,界面出现Cu Au层,当回流次数增加到100次时,在靠近基板一侧出现Cu3Au层。添加Ag元素可抑制焊接界面金属间化合物层的生长。一次回流焊接的界面剪切强度随焊料中Ag含量增加而逐渐提高,(Au-20Sn)-x Ag/Cu(x=0,0.5,1,2)界面的剪切强度分别为92.14,93.59,95.65和98.43MPa。剪切强度随回流次数增加而降低,降低的幅度随Ag含量增加而减小。
- 刘文胜陈柏杉马运柱唐思危黄宇峰
- 关键词：显微组织剪切强度
- Au80Sn20合金焊料的制备及应用研究进展被引量：14
- 2013年
- 含有80%金和20%锡(质量分数)的Au80Sn20合金焊料因其高熔点及免助焊剂等性能而被广泛应用于光电子封装和微电子封装领域。综述了Au80Sn20合金焊料的性能,分析了金锡叠层法、熔铸法、电镀沉积法和机械合金化法制备Au80Sn20合金焊料的工艺原理和特点,介绍了Au80Sn20合金焊料在气密封盖、管壳焊接及芯片封装等领域的焊接技术和应用情况,最后指出了Au80Sn20合金焊料的研究方向和应用前景。
- 刘文胜黄宇峰马运柱
- 关键词：微电子封装光电子封装
- 多形貌纳米银粒子的制备工艺研究被引量：13
- 2018年
- 随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,金属导电填料纳米化成为电子封装用导电银浆发展的必然趋势。其中,多形貌纳米银粒子的制备成为该领域的研究热点。采用液相还原法,通过多种表面活性剂的添加调控纳米银晶粒的生长过程,制备出球状、片状、立方状等多种形貌的银纳米粒子,并揭示了它们的生长机理。结果表明,随着聚乙烯吡咯烷酮(PVP)浓度的增加,纳米银颗粒的分散性得到逐步优化,当PVP浓度为2mmol/L时,制备出平均粒径为20nm左右且分散性良好的球状银纳米粒子;柠檬酸钠和双氧水的添加能够诱导纳米银颗粒向片状结构转变,当柠檬酸钠浓度为20mmol/L,双氧水浓度为25mmol/L左右时,有大量片状银纳米粒子的形成;氯化钠(NaCl)能够诱导纳米银颗粒向立方体结构转变,当NaCl浓度为20mmol/L时能够得到形状规则的立方银纳米粒子。
- 刘锦涛马运柱刘文胜唐思危黄宇峰
- 关键词：纳米银粒子液相还原法
- 回流次数对Au80Sn20/Cu焊点显微组织及剪切性能的影响被引量：3
- 2016年
- 采用回流焊接技术制备Au80Sn20/Cu焊点,研究其显微组织和剪切强度随回流焊接工艺参数之间的演变规律。结果表明:在焊接温度为310℃时,焊点界面处形成的(Au,Cu)5Sn金属间化合物(IMC)层随回流次数增加而增厚;IMC形貌由层状转变为扇贝状,最后成长为胞状;焊点剪切强度随回流次数增加而下降,回流1次后剪切强度为82.94 MPa,回流20次后下降至54.33 MPa;且回流焊接次数对焊点断口形貌和断裂方式造成影响:1次回流后在Cu/IMC界面发生韧性断裂;而3次和5次回流后断裂面分别出现在焊料中和IMC中,为韧性脆性混合断裂;回流次数超过10次后焊点发生脆性断裂。
- 刘文胜汤娅马运柱黄宇峰
- 关键词：回流焊剪切性能金属间化合物
- 还原剂浓度对化学还原法制备纳米锡银合金粉末颗粒生长的影响
- 2018年
- 采用化学共还原法制备纳米级Sn-3.5Ag(质量分数,%)合金粉末,分析粉末的微观形貌、物相组成和熔化行为,着重研究还原剂溶液的浓度对粉末粒径的影响,探究液相中颗粒形核长大机制。结果表明:还原剂浓度控制液相中颗粒形核和长大的速率,粉末平均粒径随还原剂浓度降低而增大,还原剂溶液的浓度为0.25 mol/L时粉末平均半径达到最小值约为13 nm;粉末由β-Sn和Ag3Sn两相组成,熔点约为206℃;还原剂浓度升高,溶液中大量金属离子用于瞬间形核从而抑制纳米颗粒的后续长大;液相中Ag3Sn优先形核生长,随着溶液中银原子的饱和度下降,粉末的物相组成转由β-Sn占主导,最终形成由Ag3Sn相和β-Sn相组成的纳米合金粉末。
- 王瑶马运柱刘文胜唐思危黄宇峰
- 关键词：微观形貌合金化形核长大
