福建省教育厅科技项目(JB11184)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：福州大学厦门理工学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究被引量：1
- 2013年
- 采用碳热还原-氧化法成功制备大小均匀的MgO纳米线,采用场致发射电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)表征其形貌及晶体结构。采用丝网印刷将MgO纳米线转移到阴极电极,并将阴极电极与印刷有荧光粉的阳极电极组装成二级场致发射器件。场致电子发射测试表明MgO纳米线具有较好的电子发射特性:其阈值电场强度仅为3.82V/μm(1mA/cm2),最高电流密度达到2.68mA/cm2(4.01V/μm),发光亮度为1152cd/m2,4h内没有明显的衰减。MgO有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。
- 王灵婕熊飞兵郭太良杨尊先叶芸
- 关键词：纳米材料MGO场致发射
- 后栅结构SnO_2场致发射显示器件的研制被引量：1
- 2012年
- 采用高温气相法生长SnO2纳米线,扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析表明所生长的SnO2纳米线大小均匀,直径约为150 nm,长可达10μm。结合丝网印刷法转移SnO2,制备成阴极阵列。封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致发射性能,分析讨论栅极电压和阳极电压对场发射性能的影响。实验表明后栅型SnO2-FED具有良好的栅极调控作用,在1600 V阳极电压和200 V栅极电压下工作实现全屏发光,平均发光亮度为560 cd/m2,具有潜在的应用前景。
- 王灵婕林金阳游玉香叶芸杨尊先郭太良
- 关键词：SNO2纳米线场致发射
