国家重点基础研究发展计划(51327010101)
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学更多>>
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- 一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型(英文)
- 2007年
- 提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.
- 曹全君张义门张玉明吕红亮郭辉汤晓燕王悦湖
- 关键词：4H-SICMESFET大信号
- 4H-SiC功率MESFET的击穿特性被引量：2
- 2004年
- 研究了 4 H- Si C MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性 .建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用 .综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响 .采用准静态方法 ,求解瞬态偏微分方程组 。
- 吕红亮张义门张玉明杨林安
- 关键词：SIC击穿特性金属半导体场效应晶体管
- 4H-SiC MESFET的新型经验电容模型被引量：1
- 2008年
- 基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。
- 曹全君张义门张玉明汤晓燕吕红亮王悦湖
- 关键词：4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究被引量：1
- 2007年
- 借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何张波李肇基
- 关键词：MESFET直流特性
- n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)被引量：2
- 2007年
- 通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC) .C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.
- 郭辉张义门张玉明
- 关键词：NI欧姆接触SIC离子注入
- 一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型
- 2007年
- 提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改进模型,沟道长度调制系数和饱和电压系数采用了栅源电压的一次函数建模;大信号电容模型采用电荷-电压(Q-V)的电容积分形式.该大信号模型已经应用在CAD工具中.模拟结果与实验结果符合良好,模型的有效性得到验证.
- 曹全君张义门张玉明
- 关键词：4H-SICMESFET大信号解析模型射频
- 新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
- 2008年
- 提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行优化。结果表明,新结构较之常规单RESURF结构,击穿电压从890 V提高到1672 V,导通电流为80 mA/mm时,压降从4.4 V降低到2.8 V。
- 叶毅张金平罗小蓉张波李肇基蒋辉
- 关键词：肖特基二极管降低表面电场击穿电压
