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中国博士后科学基金(Q6312573)

作品数：3 被引量：6H指数：2
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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇载流子注入
  • 2篇偏压
  • 2篇热载流子
  • 2篇热载流子注入
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  • 1篇物理机制
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  • 1篇PMOS器件

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇刘红侠
  • 3篇郝跃
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传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
2005年
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释.
刘红侠郝跃
关键词：PMOS器件热载流子注入负偏压温度不稳定性界面态
NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理被引量：4
2005年
研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散 ,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因 .指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡 .
刘红侠郑雪峰郝跃
关键词：深亚微米阈值电压漂移栅氧化层NBT衬底
深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制被引量：2
2005年
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI效应的共同作用,二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应.在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度,而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关,给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.
刘红侠郝跃
关键词：热载流子注入负偏压温度不稳定性界面态
Mechanism of Negative Bias Temperature Instability for PMOSFET’s with Thin Gate Oxide
＜正＞The negative bias temperature instability （NBTI） of deep-submicron PMOSFET’s has been investigated.NBTI inc...
Hongxia Liu
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