安徽省高校省级自然科学研究项目(2006kj012a)
- 作品数：11 被引量：4H指数：2
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- 基于ADS三阶电荷泵锁相环的分析和仿真
- 2007年
- 在分析锁相环基本原理和线性化模型的基础上,给出了基于锁相环系统环路带宽和相位裕度的环路滤波器参数的计算公式.结合具体的参数计算,给出系统参数,然后用ADS工具对系统进行仿真,结果表明利用给出的方法来设定锁相环的参数,通过反复几次的调节能得到一组很好的系统参数,仿真结果于预期的相吻合,对三阶电荷泵锁相环的系统设计和仿真有一定的指导意义.
- 张明吴秀龙张兴建王诗兵
- 关键词：电荷泵锁相环低通滤波器ADS仿真
- 二维量子力学效应对阈值电压的影响
- 2007年
- 在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.
- 张婷代月花高珊
- 一种用于高速PLL的CMOS电荷泵电路的设计
- 2007年
- 通过对电荷泵电路中存在的电荷注入、时钟馈通、电荷共享等现象的分析,设计了一个新型的高速电荷泵锁相环.电荷泵的设计是根据Mentor Graphics的eldo平台仿真CMOS0.35um技术.工艺,.仿真采用3.3V电源电压供电,功耗为0.47mW.仿真结果表明,该电荷泵电路可以很好地满足高速锁相环电路的要求.
- 张兴建吴秀龙王诗兵张明
- 关键词：电荷泵
- 2.5V 19-ppm/℃的带隙基准电压源设计
- 2008年
- 论文在分析传统带隙基准源的基础上,设计了低电压输出的带隙基准电压源电路.采用Charter 0.35μm标准CMOS工艺,并用Mentor Graphics公司的Eldo仿真器对带隙基准电压源电路的电源特性、温度特性进行了仿真.该带隙基准电压源的温度系数为19-ppm/℃,在室温下当电源电压2.0～3.0 V时,基准电压源输出电压为（915.4±0.15）mV,功耗小于0.2-mW.
- 鲁世斌陈军宁吴秀龙黄智
- 关键词：带隙基准电压源CMOS温度系数
- 折叠式共源共栅CMOS LNA的优化设计
- 2009年
- 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采用折叠式共源共栅式结构,设计了工作于1.5GHz,电源电压为1.5V的低噪声放大器。采用此结构可以显著增大截止频率,从而可以改善噪声系数。本文主要从结构出发,均衡了噪声系数,阻抗匹配,增益以及线性度,并在ADS仿真平台上进行了优化与仿真模拟,在中心频率处,噪声系数为0.617 dB,增益S21为31.713dB,输入反射系数S11为-21.548dB,1dB压缩点为-11 dBm。其仿真结果与设计指标基本一致。
- 马强张杰柯导明
- 关键词：折叠式共源共栅低噪声放大器噪声系数CMOS
- 射频收发系统中VCO的分析与设计被引量：2
- 2007年
- 针对目前通讯系统中数据高传输率和低误码率对于系统中各部分的较高要求,设计了一种采用谐波滤除电阻技术降低相位噪声和功耗的交叉耦合互补结构的VCO(压控振荡器)。采用Chartered 0.35μm CMOS工艺在Mentor Graphics Eldo-RF环境下对电路进行仿真设计,仿真结果表明此振荡器在1 mA工作电流下,在4.0 GHz处达到-118.4 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,功耗仅为1.83 mW,其性能满足当今射频通讯系统的基本要求。
- 梅振飞陈军宁吴秀龙
- 关键词：相位噪声闪烁噪声压控振荡器
- 一种可变增益放大器的设计
- 介绍了可变增益放大器的几种电路,采用Chartered0.35μm标准CMOS工艺,设计了适用于DVB-C标准的高频调谐器中的可变增益放大器,运用Mentor公司的Eldo工具对电路进行了仿真,仿真结果达到低功耗、低噪声...
- 蒋先伟吴秀龙徐超陈军宁周杰
- 关键词：高频调谐器CMOS
- 文献传递
- 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计
- 2007年
- 本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比.
- 黄智吴秀龙梅振飞鲁世斌
- 关键词：CMOSPSRR
- 低抖动的鉴频鉴相器设计被引量：2
- 2007年
- 提出一种SCL结构差分型鉴频鉴相器(PFD),这种鉴频鉴相器能大幅度降低鉴相死区,而且具有噪声低、速度快等优点.这种差分型PFD在高速、低抖动、低噪声PLL中有着广泛的应用.该电路基于chartered 0.35μm CMOS工艺,并用MENTOR eldo进行仿真,仿真结构表明,该PFD死区只有0.03ns.并且可以大大降低VCO控制电压的波纹.
- 吴昊吴秀龙
- 关键词：噪声
- 复合多晶硅栅LDMOS的特性研究
- 2008年
- 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。
- 洪琪陈军宁柯导明刘磊高珊刘琦
- 关键词：截止频率功函数
