您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(51272224)

作品数：9 被引量：5H指数：2
相关作者：顾广瑞耿娟田莲花姜丽娜吴宝嘉更多>>
相关机构：延边大学吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学

主题

  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇摩擦学
  • 3篇摩擦学性能
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 2篇电学性能
  • 2篇机械性能
  • 2篇光学性能
  • 2篇掺杂
  • 2篇N
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇酸盐

机构

  • 8篇延边大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 7篇顾广瑞
  • 1篇胡新宇
  • 1篇蓝雷雷
  • 1篇吴宝嘉
  • 1篇姜丽娜
  • 1篇田莲花
  • 1篇耿娟

传媒

  • 6篇延边大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
Sr^(2+)掺杂荧光粉Ca_2Nb_2O_7∶Eu^(3+)的发光特性被引量：2
2014年
采用高温固相法制备出Ca1.97-xSrxNb2O7∶3%Eu3+(x=0.10,0.50,1.0,1.5,1.97)红色荧光粉,研究了Ca1.97-xSrxNb2O7∶3%Eu3+的发光特性及Sr2+的浓度对该荧光粉发光性质的影响。随着Sr2+浓度的改变,Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的XRD呈现不同的相。Ca1.97Nb2O7∶3%Eu3+(x=0)的激发光谱中,302 nm附近的强宽带来自于O2-→Eu3+电荷转移跃迁,272 nm附近的肩峰来自于NbO7-6基团的电荷转移跃迁,350~600 nm范围内的锐锋属于Eu3+的特征4f-4f组内跃迁。在398 nm激发下,发射光谱的最强峰位于616 nm,属于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁,发射出强烈的红光。当Ca2+逐渐被Sr2+取代时,Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的各激发峰的强度先提高后降低,且O2-→Eu3+电荷转移跃迁发生明显红移。少量Sr2+的掺杂可以有效提高Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的红光发射强度,当x=0.01时该荧光粉的红光发射达到最强,可以被紫外LED芯片激发。
耿娟田莲花
关键词：铌酸盐
磁控溅射CdTe薄膜的光电学特性
2022年
采用射频磁控溅射方法在玻璃和Si(111)衬底上制备了碲化镉(CdTe)薄膜,并研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.X射线衍射分析表明,所有样品均沿(111)面择优取向;平均晶粒尺寸随溅射功率的增加而增加,即从73.0nm(70W)增加到123.6nm(110W).紫外可见近红外光谱分析表明,CdTe薄膜在可见光范围内具有较高的吸光度;薄膜的带隙随着溅射功率的增加而减小,最小值为1.38eV.CdTe薄膜的导电性随溅射功率的增加而明显增强,当溅射功率为110W时电阻率仅为21.5Ω·cm.该研究结果可为制备高导电性和高吸收率的半导体薄膜提供参考.
戚庆碧崔伟哲顾广瑞
关键词：CDTE薄膜磁控溅射光学性能电学性能
金属Y掺杂Mo-N薄膜的机械性能和摩擦学性质研究
2020年
利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质分析显示:薄膜的择优取向由未掺杂时的γ-Mo2N (111)改变为Y掺杂后的γ-Mo2N (200).与未掺杂的Mo-N薄膜相比较,所制备的MoYN薄膜的硬度明显降低,但耐磨性和平均摩擦系数均有所改善.其中Y掺杂含量为9.44at%时,薄膜的耐磨性为最佳,平均摩擦系数为最小(0.283),硬度为(24.13±3.15) GPa.
栾书多张佳鑫顾广瑞
关键词：磁控共溅射摩擦学性能
Thick c-BN films deposited by radio frequency magnetron sputtering in argon/nitrogen gas mixture with additional hydrogen gas被引量：2
2016年
The excellent physical and chemical properties of cubic boron nitride(c-BN) film make it a promising candidate for various industry applications. However, the c-BN film thickness restricts its practical applications in many cases. Thus, it is indispensable to develop an economic, simple and environment-friend way to synthesize high-quality thick, stable c-BN films. High-cubic-content BN films are prepared on silicon(100) substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering from an h-BN target at low substrate temperature. Adhesions of the c-BN films are greatly improved by adding hydrogen to the argon/nitrogen gas mixture, allowing the deposition of a film up to 5-μm thick. The compositions and the microstructure morphologies of the c-BN films grown at different substrate temperatures are systematically investigated with respect to the ratio of Hgas content to total working gas. In addition, a primary mechanism for the deposition of thick c-BN film is proposed.
赵艳高伟徐博李英爱李红东顾广瑞殷红
金属Y和Cr共掺杂W_2N薄膜的力学及摩擦学性能研究
2019年
采用磁控溅射法,通过改变氩氮比率,在Si(100)衬底上成功制备了W_2N薄膜,当氩氮比率为20∶6时薄膜的结晶性最好.为了改善W_2N薄膜的力学和摩擦学性能,采用射频和直流磁控共溅射方法分别在Si(100)和A304不锈钢衬底上制备了软质金属Y和硬质金属Cr共掺杂的W_2N (Y-Cr:W_2N)薄膜.在掺杂功率20～50 W范围内,当掺杂功率为30 W时,薄膜具有最大硬度,为23.71 GPa,此时样品的弹性模量为256.34 GPa;当掺杂功率为20 W时,薄膜的平均磨擦系数最小,为0.37.这表明,金属Y和Cr的掺入使W_2N薄膜的力学和摩擦学性能有了很大的改善.
苏航顾广瑞
关键词：磁控溅射掺杂摩擦学性能
射频磁控溅射制备的CdSe薄膜的光电学性质
2022年
采用射频磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了CdSe薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散X射线光谱仪(EDAX)、紫外可见近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计和霍尔效应测试仪研究了溅射功率对薄膜的结构和光电学性质的影响.研究表明:增加溅射功率有利于增强薄膜的结晶性能;随着溅射功率的增加,薄膜的光学带隙和电阻率逐渐减小,载流子浓度逐渐增加,即薄膜的光电性能不断增强.该研究结果可为CdSe薄膜在光电器件方面的应用提供参考.
管雪金健顾广瑞
关键词：CDSE薄膜磁控溅射光学性质电学性质
磁控溅射Ti掺杂NbN薄膜的机械和摩擦学特性研究被引量：1
2019年
为研究Ti掺杂的NbN薄膜的机械和摩擦学特性,采用射频和直流磁控共溅射技术制备了Ti掺杂的NbN(Ti:NbN)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米压痕仪、高温摩擦磨损实验机分别对Ti掺杂的NbN薄膜的微观结构、组成成分、表面形貌、机械和摩擦学性能进行了研究.XRD测试结果显示,薄膜的结晶性随着Ti靶掺杂功率的增加(从0 W逐渐升高到40 W)而呈明显增强趋势,晶粒尺寸也由18.010 nm增加到21.227 nm.当Ti靶的掺杂功率为30 W时,NbN薄膜的硬度由4.5 GPa(未掺杂)增加到20.4 GPa,弹性模量由145.8 GPa(未掺杂)增加到224.5 GPa;当Ti靶的掺杂功率为40 W时,NbN薄膜的摩擦系数由0.73(未掺杂)下降到0.51,磨损率由3.3×10^-6 mm^3/(N·mm)(未掺杂)下降到2.1×10^-6 mm^3/(N·mm).这表明,掺杂Ti可使NbN薄膜的机械性能和摩擦学性能得到很大的改善.
韩玉蕊杜安天顾广瑞
关键词：磁控溅射机械性能摩擦学性能
CdO-ZnO复合薄膜的光电学特性研究
2021年
采用磁控溅射技术制备了不同原子百分比的CdO-ZnO复合薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见近红外分光光度计、四探针电阻测试仪研究了薄膜的结构和光电学特性.研究表明:适量增加CdO掺杂量可提高薄膜在近红外区域的透射率;CdO-ZnO复合薄膜的光学带隙和电阻率随CdO含量的增加而减小,且当CdO和ZnO的原子百分比为4:1时薄膜的带隙和电阻率分别为2.09eV和10.79×10^(-3)Ω·cm.该研究结果可为制备高导电性和高透过率的薄膜提供参考.
金健栾书多顾广瑞
关键词：磁控溅射掺杂光学性能电学性能
FeMn掺杂AlN薄膜的制备及其特性研究
2013年
采用直流磁控共溅射技术,以Ar与N2为源气体,硅片为衬底成功地制备了Fe,Mn掺杂AlN薄膜.利用X射线衍射和拉曼光谱研究了工作电流、靶基距离等工艺参数的改变对薄膜结构的影响.利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对薄膜的表面形貌和组成成分进行了分析.利用振动样品磁强计在室温下对Fe,Mn掺杂AlN薄膜进行了磁性表征.Mn掺杂AlN薄膜表现出顺磁性的原因可能是由于Mn掺杂浓度较高,在沉积过程部分Mn以团簇的形式存在,反铁磁性的Mn团簇减弱了体系的铁磁交换作用.Fe掺杂AlN薄膜表现出室温铁磁性,这可能是AlFeN三元化合物作用的结果.随着Fe掺杂AlN薄膜中Fe原子浓度从6.81%增加到16.17%,其饱和磁化强度Ms由0.27 emu·cm-3逐渐下降到0.20 emu·cm-3,而矫顽力Hc则由57 Oe增大到115 Oe(1 Oe=79.5775 A/m),这一现象与Fe离子间距离的缩短及反铁磁耦合作用增强有关.
蓝雷雷胡新宇顾广瑞姜丽娜吴宝嘉
关键词：氮化铝薄膜磁性
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0