中国航空科学基金(04G53043)
- 作品数：12 被引量：41H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质被引量：2
- 2008年
- 用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.
- 李阳平刘正堂刘文婷闫峰陈静
- 关键词：红外透射光谱射频磁控溅射XPS
- 蓝宝石衬底表面SiO2薄膜的应力分析被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜。通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO_2薄膜内应力的影响。采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力。结果表明:制备SiO_2薄膜时,工艺参数影响SiO_2薄膜的成分,当O_2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO_2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO_2薄膜呈压应力状态,镀SiO_2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应力变为压应力。
- 冯丽萍刘正堂
- 关键词：蓝宝石二氧化硅薄膜内应力磁控反应溅射
- 退火对Y_2O_3薄膜结构和电学性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法,成功地在n-Si衬底上制备了高κ栅介质Y2O3薄膜。对薄膜在不同温度退火后的结构、成分和电学性能进行了分析研究。结果表明,沉积态薄膜为非晶态,退火后薄膜开始晶化;沉积态薄膜中Y和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比;薄膜具有较低的漏电流,退火后薄膜的漏电流降低。高频C-V曲线表明,退火后由于界面层的生长导致积聚电容减小。
- 霍会宾刘正堂阎锋
- 关键词：退火漏电流界面层
- CVD金刚石的红外增透和抗氧化研究被引量：2
- 2006年
- CVD金刚石具有一系列优异的性能,红外透过率高、吸收系数低,抗热冲击、耐磨损能力强,是理想的长波红外(8μm～12μm)高速飞行器窗口和头罩材料。但是,CVD金刚石的高温氧化现象严重损害了其红外透过率。因此,CVD金刚石的红外增透、抗氧化就成为大家关注的焦点。这里介绍了目前提高CVD金刚石红外透过率的主要途径和研究进展。
- 刘文婷刘正堂
- 关键词：CVD金刚石增透
- HfO2薄膜的制备与光学性能
- 采用射频磁控反应溅射法,以高纯热压 HfO 陶瓷为靶材,在 Si 衬底上成功制备出 HfO薄膜．系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律,并对薄膜的光学性能进行了研究．结果表明,射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显,O...
- 刘文婷刘正堂许宁鹿芹芹闫锋
- 关键词：磁控反应溅射HFO2薄膜沉积速率光学性能
- 文献传递
- HfO2薄膜的制备与光学性能被引量：2
- 2007年
- 采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显，O2／Ar流量比和衬底温度对沉积速率的作用不明显，所制备薄膜的折射率较高在近红外波段趋于1．95，在500-1650nm波段范围内薄膜几乎无吸收，透过率较高。
- 刘文婷刘正堂许宁鹿芹芹闫锋
- 关键词：磁控反应溅射HFO2薄膜沉积速率光学性能
- 退火处理对Y_2O_3薄膜结构和光学性能的影响被引量：1
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法以Y2O3陶瓷为靶材在单晶Si(111)和石英表面制备了Y2O3薄膜。利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-VIS)光谱仪和傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪对真空退火前后Y2O3薄膜的结构和光学性质进行了分析研究。结构研究表明,在200℃条件下制备的Y2O3薄膜为非晶态,经600℃退火后出现单斜相,经800℃退火后薄膜完全转化为立方多晶,同时得到了不同晶面的晶粒尺寸;沉积态的Y2O3薄膜由球状颗粒排列组成,经800℃真空退火后薄膜为柱状晶。光学性质研究发现,真空退火后Y2O3薄膜的红外透过率显著下降;使用Tauc作图法得到不同结晶条件下的光学带隙,发现薄膜的光学带隙与结晶条件有关,并且退火后薄膜的光学带隙明显减小。
- 闫锋刘正堂刘文婷刘其军
- 关键词：晶体结构退火处理透过率光学带隙
- GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟被引量：5
- 2007年
- 以GaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜,通过保持ArⅠ750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数,并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小,Ga的溅射率及输运效率均大于P的,使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ga的含量大于P的,GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大,Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的,使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ga与P的含量接近化学计量比,GaP薄膜的吸收降低,因此有利于制备厚度较大的GaP薄膜.
- 李阳平刘正堂赵海龙刘文婷闫锋
- 关键词：GAP射频磁控溅射计算机模拟
- CVD金刚石的高温氧化及其保护被引量：4
- 2005年
- 化学气相沉积(CVD)金刚石具有优异的机械、光学和热学性能,成为高速长波红外窗口的首选材料,但是当高速飞行时,由于空气动力加热会产生很高的温度而使其迅速遭受氧化,甚至完全失效。简要概述了 CVD 金刚石高温氧化现象及机理、抗氧化保护的最新研究进展。
- 巨志高刘正堂李阳平
- 关键词：CVD金刚石高温氧化热学性能红外窗口高速飞行空气动力
- CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。通过X射线衍射分析了衬底加热温度对薄膜微结构的影响和薄膜高温下的氧化行为。结果表明:在衬底加热温度低于380℃时制备的AlN薄膜为非晶态,480℃时AlN薄膜为六方多晶。AlN薄膜在800℃热暴露后开始氧化,900℃时基本被氧化为Al2O3。在CVD金刚石上制备的AlN/Si和AlN/Ge膜都能提高金刚石在长波红外波段(8～10μm)的透过性能,单面最大增透分别为8%和3%。镀有AlN/Ge膜的CVD金刚石在800℃高温热暴露实验中,有AlN/Ge膜保护的金刚石表面未发生刻蚀。高温下AlN/Ge膜对金刚石有很好的保护作用,同时增透效果没有明显下降。
- 闫锋刘正堂巨志高
- 关键词：射频磁控反应溅射氮化铝薄膜抗氧化增透
