国家自然科学基金(60106002)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：复旦大学香港中文大学香港城市大学更多>>
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- Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
- 2005年
- 在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.
- 蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
- 关键词：硅化物NISI固相反应
- Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究被引量：2
- 2002年
- 研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 .
- 屈新萍茹国平李炳宗C.DetavernierR.Van Meirhaeghe
- 关键词：NISI成核固熔体
- Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
- 2003年
- 采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 .
- 屈新萍徐蓓蕾茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
- 关键词：固相反应固相外延金属硅化物
