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国家高技术研究发展计划(59823003)

作品数:16 被引量:100H指数:7
相关作者:孙洵王圣来房昌水顾庆天王波更多>>
相关机构:山东大学山东轻工业学院河南天方药业股份有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金山东省博士后创新项目更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇晶体
  • 13篇KDP晶体
  • 5篇晶体生长
  • 4篇退火
  • 4篇热退火
  • 4篇KDP
  • 3篇生长习性
  • 3篇习性
  • 3篇过饱和度
  • 3篇包裹体
  • 2篇散射
  • 2篇散射颗粒
  • 2篇离子
  • 2篇离子对
  • 2篇磷酸二氘钾
  • 2篇金属
  • 2篇金属离子
  • 2篇金属离子对
  • 2篇光谱
  • 2篇光学

机构

  • 17篇山东大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇河南天方药业...

作者

  • 15篇孙洵
  • 13篇王圣来
  • 10篇房昌水
  • 8篇顾庆天
  • 7篇高樟寿
  • 7篇王波
  • 6篇许心光
  • 6篇李义平
  • 5篇李毅平
  • 4篇李云南
  • 4篇刘冰
  • 3篇张建芹
  • 3篇曾红
  • 3篇王正平
  • 3篇王坤鹏
  • 2篇付有君
  • 2篇邵宗书
  • 2篇牟晓明
  • 1篇孙大亮
  • 1篇丁建旭

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇功能材料
  • 2篇科学通报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
热退火对KDP晶体微结构的影响被引量:12
2003年
 用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。
王圣来李丽霞胡小波高樟寿付有君孙洵李义平曾红
关键词:KDP晶体微结构热退火RAMAN光谱晶格畸变
硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响被引量:15
2005年
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。
张建芹王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平王坤鹏王波李云南刘冰
关键词:硫酸根KDP晶体晶体生长
Na^+对KDP晶体生长的影响被引量:3
2010年
本文利用传统的降温法和"点籽晶"快速生长法在不同Na+掺杂浓度的溶液中生长KDP晶体,定量研究了Na+对KDP晶体生长的影响。实验发现:Na+的存在降低了溶液的稳定性,致使KDP晶体柱面容易扩展。Na+的存在对KDP晶体的光学性能基本没有影响。
梁晓亮王波孙洵顾庆天丁建旭许心光
关键词:KDP晶体晶体生长
KDP(DKDP)晶体中液相包裹散射的形成被引量:6
2002年
利用原子力显微镜(AFM)观察、研究了杂质对KDP(DKDP)晶体中液相包裹散射形成的影响.对液相散射形成机理和溶液过饱和度的影响进行了探讨,结果表明杂质和溶液的过饱和度是加重晶体散射的重要原因.
孙洵孙大亮许心光王正平付有君王圣来曾红李毅平于锡玲高樟寿
关键词:KDPDKDP磷酸二氘钾晶体光学散射机理磷酸二氢钾
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究被引量:8
2004年
 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。
王圣来王波张光辉牛爱芹尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
关键词:热退火KDP晶体消光比
KDP/DKDP晶体生长的研究进展被引量:20
2007年
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。
王波房昌水王圣来孙洵顾庆天许心光李义平刘冰牟晓明
关键词:惯性约束核聚变溶液晶体生长
不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究被引量:4
2006年
过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素.本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试.研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷.实验证明,DKDP晶体可以在<4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.
王波房昌水孙洵王圣来顾庆天李毅平
关键词:DKDP晶体过饱和度晶体生长
杂质对KDP晶体结晶习性的影响被引量:6
2001年
研究了不同浓度的季氨盐、偏磷酸和硼酸对KDP晶体结晶习性的影响, 对结果进行了讨论分析. 可以看出, 金属阳离子和多磷酸盐以及季氨盐和硼酸等不同杂质对KDP晶体结晶习性的影响并不相同, 其原因在于不同杂质吸附机制的不同.
孙洵傅有君高樟寿王圣来曾红李毅平
关键词:KDP晶体结晶习性过饱和度硼酸
KDP晶体(101)面生长动力学研究被引量:8
2008年
晶体法向生长速度是晶体生长动力学研究的一个重要参数。用激光偏振干涉法实现了KDP晶体锥面生长速度的实时测量,发现KDP晶体锥面生长过程中存在与柱面类似的死区,对传统降温法生长大尺寸KDP晶体和点籽晶快速生长技术中过饱和度的控制有重要指导意义。用螺旋位错模型讨论了锥面生长的动力学规律。计算了锥面台阶自由能和动力学系数。
刘冰房昌水王圣来牟晓明
关键词:KDP晶体位错生长速率
KDP晶体包裹体的拉曼光谱研究被引量:3
2003年
激光显微拉曼光谱对KDP晶体包裹体研究发现,相邻锥扇界附近的球形溶液包裹体串只有水溶液,而柱面扩展包藏和含高密度散射颗粒的KDP晶体都存在CO2和H2S等杂质分子.我们推断,柱、锥面包裹体成分的不同与晶体不同面的生长特征有关,CO2等杂质气体分子的存在是柱面包裹体和散射颗粒形成的原因之一.
王圣来高樟寿孔勇发张存洲付有君孙洵李义平曾红
关键词:散射颗粒拉曼光谱包裹体KDP晶体
共2页<12>
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