国家自然科学基金(10476035)
- 作品数：22 被引量：133H指数：8
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- (Y_(3-x-y)RE_x)Al_5O_(12):Ce_y(RE=Tb,Gd)荧光粉晶体结构与光致发光被引量：6
- 2008年
- 采用化学共沉淀法合成具有Tb、Gd稀土掺杂的Y3Al5O12∶Ce3+荧光粉,通过XRD和荧光光谱研究其晶体结构和光致发光。结果表明,(Y2.95-xTbx)Al5O12∶Ce3+和(Y2.95-xGdx)Al5O12∶Ce3+系列荧光粉具有与Y3Al5O12∶Ce3+相同的石榴石晶体结构,但晶胞参数随Tb、Gd取代Y而略有增加;随Tb、Gd掺杂量增加,荧光粉发射波长逐渐红移,当x=2.95时,发射波长λmax分别从532nm红移至551和542nm;根据晶体场理论解释了荧光粉发射波长红移现象。这种发射波长红移的荧光粉能够显著地增强蓝光LED芯片与荧光粉组合形成的白光中红光成分,进而改善白光LED光源质量。
- 黎学明陶传义孔令峰刘仁龙任晓虎
- 关键词：荧光粉石榴石红移
- 反相乳液法制备单分散性Fe_3O_4微粒的研究被引量：6
- 2005年
- 为制备单分散性的 Fe_3O_4微粒,采用反相乳液法,以 Fe^(2+)与 Fe^(3+)按 n(Fe^(2+)):n(Fe^(3+))=1:2配成的水溶液作为水相,十二烷基磺酸钠为乳化剂,液体石蜡和水溶液形成油包水型乳液,用 NaOH 共沉淀。实验考察了油/水体积比、搅拌速度、乳化剂及碱用量、乳化时间的影响。结果表明,较佳的条件是:在 V(石蜡):V(水)=6:1,1030r/min 的搅拌速度下,乳化剂的量为4.5g/L,乳化20min 后,用超过理论用量5%的氢氧化钠共沉淀。用粒度仪和磁天平表征所得 Fe_3O_4,数均粒径为2μm,98%的粒径分布在1～5μm,质量磁化率为2.60×10^(-2)emu/g。
- 杨旭陶长元覃军杜军
- 关键词：反相乳液法单分散性微粒碱用量磁天平粒度仪
- 化学浸蚀温度对多孔硅粉形貌和比表面积影响
- 硅是一种具有以纳米硅原子簇为骨架的海绵状结构的新型功能材料,它具有比表面积大、生物活性高、可光致发光和电致发光等特征.自1990年L.T.Canham等发现多孔硅室温光致发光现象以来,研究人员对基于多孔硅的全硅光电子器件...
- 黎学明纪新瑞许林
- 关键词：化学浸蚀多孔硅比表面积
- 玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究被引量：14
- 2006年
- 采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。
- 杜军史广旭陶长元汪宁邱华
- 关键词：玻璃微珠化学镀银红外辐射
- 脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应被引量：1
- 2009年
- 采用电化学脉冲腐蚀法,在P型单晶硅片上制备了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制备的多孔硅为传感元件,利用电感耦合器件(CCD)记录了乙醇蒸汽的反射干涉图.反射光谱经IGOR软件进行傅里叶变换后,得到多孔硅的光学厚度值,并以此为依据探讨多孔硅对乙醇蒸汽的传感特性.实验结果表明,当PS膜暴露于乙醇蒸汽中时,反射谱吸收峰位发生红移,相应的光学厚度也发生红移;当乙醇气体体积分数大于500×10-6时。PS的光学厚度急剧增大.
- 黎学明杨金瑞杨根岭
- 关键词：多孔硅光学厚度传感
- 电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响被引量：2
- 2009年
- 采用电化学阳极氧化法,将预光刻图案的p型硅片制备成阵列多孔硅。讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响。结果表明:随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大,阵列多孔硅的孔深逐渐加大;当HF∶C2H5OH∶H2O(体积比)为1∶1∶1～1∶2∶5,电流密度为1.56mA/cm2,阳极氧化时间为3h时,制备出的阵列多孔硅具有比较规整的阵列孔,并且孔深能够达到50μm;表面活性剂对阵列孔的形成有很大影响,加入表面活性剂后形成的孔才具有一定的规整性以及深宽比。
- 张光辉孔令峰潘倩黎学明
- 关键词：电化学阳极氧化表面活性剂
- 热氧化多孔硅制备及其干涉特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用电化学阳极氧化法制备彩色薄层多孔硅，经高温热氧化处理后形成稳定的热氧化多孔硅。研究电化学制备条件对热氧化多孔硅的干涉效应和光学厚度的影响，分析热氧化处理前后多孔硅的稳定性。结果表明，在可见光波长范围内，所制备的热氧化多孔硅反射光谱出现一定规律性的干涉条纹，表现出明显的反射干涉现象；随阳极氧化时间、电流密度和HF浓度增大，热氧化多孔硅光学厚度呈增大趋势，当阳极氧化时间为30s、电流密度为520mA／cm^、v（HF）：v（C2H5OH）为2：1～5：2时，制备的热氧化多孔硅干涉条纹均匀且光学厚度较大；热氧化处理后，多孔硅结构中的Si-H。键被Si-O键所取代，其反射干涉特性非常稳定。
- 黎学明李春梅杨文静陈建文
- 关键词：多孔硅反射光谱热氧化光学厚度
- 多孔硅吸附性能的量子化学研究
- 2012年
- 用量子化学方法中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平上,采用模型化学方法和Gaussion03程序,计算由不同数目硅原子组成的一维量子线模型和二维网状模型分别吸附氢原子、氧原子、氧分子、硝酸根和高氯酸根的模型进行计算,考察各模型吸附前后的电子状态、能隙、原子电荷、键强等因素,计算结果表明:在吸附有不同原子、分子的多孔硅表面上,表面硅原子与内层硅原子间的化学键均被削弱,对于解释多孔硅的发光和爆炸性质有一定的理论指导意义.
- 胡小华施琼玲魏锡文黎学明
- 关键词：多孔硅量子化学DFT
- 多孔硅的表面吸附性能的研究被引量：4
- 2012年
- 通过量子化学的DFT方法,采用模型化学方法和Gaussion 03程序,计算了由不同数目硅原子组成的模型分别吸附某几种氢原子、氧原子、硝酸根的模型和多孔硅表面可能存在的SiHx类物质自由基或分子碎片的红外光谱进行了计算,考察了各模型吸附前后的电荷集居数和红外振动光谱,计算结果表明多孔硅表面吸附氢原子、氧原子以及硝酸根可以削弱相关Si—Si键,导致硅氢氧化合物出现,从而氧化或断裂生成Si—H或Si—O一类分子碎片而引起爆炸。
- 胡小华施琼玲魏锡文黎学明
- 关键词：多孔硅
- 脉冲阳极氧化条件对多孔硅法布里-珀罗干涉特性影响
- 2009年
- 采用电化学脉冲阳极氧化法制备具有干涉效应的多孔硅.研究电流密度、有效阳极氧化时间、电解液组成对多孔硅法布里-珀罗(F-P)干涉特性的影响,利用光纤光谱仪测量多孔硅反射光谱并计算其光学厚度.结果表明,当阳极氧化电流密度78mA·cm-2、有效阳极氧化时间5min、氢氟酸与乙醇体积比VHF∶VEtOH=2∶1时,制备的多孔硅法布里-珀罗干涉条纹均匀,膜层性质稳定;当与饱和乙醇气体接触时,多孔硅反射光谱吸收峰位由612红移到637nm,光学厚度由5864增加到6296nm,表明利用多孔硅法布里-珀罗干涉效应检测乙醇气体思路是可行的.
- 黎学明杨金瑞陈建文杨文静
- 关键词：多孔硅光学厚度传感
