国家教育部博士点基金(20040700001)
- 作品数：10 被引量：86H指数：4
- 相关作者：陈治明李宁陈莉静韩信杨莺更多>>
- 相关机构：西安理工大学湖南大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信建筑科学一般工业技术石油与天然气工程更多>>
- 高能复合射孔爆生气体作用下预存裂缝起裂扩展研究被引量：36
- 2005年
- 在高能复合射孔压裂过程中,受爆生气体流动速度、裂缝表面粗糙度、裂缝周围渗透性等因素的影响,裂缝内压力梯度随时间而变化。气体压力分布影响裂缝尖端应力强度,因而不能用传统的破裂压力来判断裂缝起裂扩展。通过设定与时间相关的气体压力分布函数,推导高地应力约束条件下预存裂缝尖端应力强度,得到了井壁岩层起裂扩展条件,该条件可以反映裂缝内爆生气体压力梯度随时间变化的特性。从相应的算例分析,井眼内气体升压越缓,起裂压力和止裂压力越低,且使止裂时间越推后,能得到较长的岩层裂缝长度。
- 陈莉静李宁王俊奇
- 关键词：爆生气体压力梯度
- SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真(英文)
- 2006年
- 针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的I-V特性,饱和压降大约为4V.
- 陈治明任萍蒲红斌
- 关键词：SIC异质结达林顿晶体管
- SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
- ＜正＞对热壁化学气相沉积法（HWCVD）在6H-SiC（0001）面上外延生长的 SiCGe 薄膜进行了结构分析。发现薄膜具有球形岛和三角型层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角型层状堆叠岛则为闪锌矿型结构...
- 李连碧陈治明林涛蒲红斌李佳李青民
- 关键词：SICHWCVD
- 文献传递
- 考虑不密实接触地下埋管联合受力分析被引量：2
- 2005年
- 埋藏式压力钢管设计中,钢衬、混凝土衬圈和围岩之间普遍存在着不连续的缝隙,致使设计计算时难以进行联合受力分析。针对这种不密实接触问题,采用厚壁圆环组合环法,提出了在钢衬和混凝土之间设置接触层的钢衬、混凝土衬圈和围岩三者联合受力分析方法。并利用变形协调条件,推导出各环变形的解析解,得到钢衬和围岩的压力分担比。不同接触情况下的受力分析结果表明,当接触层弹性模量小于混凝土弹模的1/100时,接触层的弹性模量变化对钢衬和围岩压力分担比的影响较大;而接触层厚度对压力分担比的影响不甚明显。另外,接触层参数可通过其变形与规范建议的初始缝隙相匹配的原则加以确定。
- 陈莉静李宁韩信
- 关键词：压力钢管地下埋管
- 非贯通裂隙介质单轴受力条件下的损伤本构关系探讨被引量：8
- 2005年
- 在对裂隙与孔隙、微裂隙两类不同层次损伤的演化特征与相互关系进行试验研究与分析的基础上,分别确定了表征这两类损伤的奇异损伤变量和分布损伤变量,推导了单轴压缩条件下非贯通裂隙介质损伤本构方程,并运用试验结果对其进行了验证。
- 陈蕴生韩信李宁马立新蒲毅彬廖全荣
- 关键词：岩土力学非贯通裂隙介质CT识别细观损伤
- 生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降.
- 杨莺林涛陈治明
- 关键词：SICPVT
- 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
- 2008年
- 采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.
- 林涛陈治明李佳李连碧李青民蒲红斌
- 关键词：碳化硅化学气相沉积
- 爆生气体驱动岩石裂缝动态扩展分析被引量：29
- 2006年
- 爆燃产生的气体压力以脉冲荷载形式随裂缝扩展作用于裂缝表面,不仅使裂缝壁岩体产生动态响应,而且爆生气体随裂缝扩展而发生动态变化,进而对岩体的劈裂过程产生耦合影响,这一机理的数值仿真分析尚未见报道。模型中用特殊的裂缝单元模拟裂缝张开和闭合,用Newmark法求解反映接触问题的动态有限元方程,并采用与时间相关的爆生气体压力分布模型,模拟爆生气体驱动下裂缝扩展过程。分析结果指出:①爆生气体在压裂过程中起主要作用,弹性应力波的劈裂作用范围很小;②地应力值越大起裂越晚,且裂缝扩展速度越小;③初始裂缝越长裂缝起裂越早,裂缝扩展速度也越大;④钻井中气体升压越快起裂相对时刻越晚,但对裂缝扩展速度没有明显影响。而裂缝起裂时刻越早以及裂缝扩展速度越快,可以得到更长的裂缝长度。
- 李宁陈莉静张平
- 关键词：爆生气体油井压裂
- 裂隙对非贯通裂隙介质强度与变形特性影响的研究被引量：4
- 2007年
- 采用类岩石材料水泥砂浆,制作成含有不同裂隙倾角和不同裂隙数目的非贯通裂隙模型试样,在岩石三轴、剪切复合机上进行单轴压缩试验研究,分析非贯通裂隙试件在单轴压缩条件下的破坏方式、变形和强度特性,并建立了其与非贯通裂隙倾角和裂隙数目的关系;加载的同时利用超声波检测仪进行声波测试,分析了其内部裂纹的扩展情况。试验结果表明,裂隙的存在使试件强度显著降低;试件中有无裂隙对其强度的影响明显大于裂隙角度的影响;试件强度一般随裂隙数量的增加而降低,但也与裂隙的位置有关;裂隙角度对强度的影响有随裂隙数量增加而减小的趋势。
- 陈蕴生刘晟锋李宁韩信
- 关键词：非贯通裂隙介质单轴压缩试验破坏方式
- 湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌被引量：11
- 2008年
- 采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态KOH和K2CO3作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数。用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌。结果表明,最佳腐蚀工艺参数为K2CO3∶KOH=5g∶200g,440℃/30min。腐蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错。实验还发现晶片表面抛光质量会影响腐蚀后SiC表面的形貌。
- 杨莺陈治明
- 关键词：碳化硅
