河北省自然科学基金(503125)
- 作品数：11 被引量：51H指数：5
- 相关作者：彭英才傅广生王英龙范志东马蕾更多>>
- 相关机构：河北大学中国科学院东京理科大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 实现受激光发射探索S i基激光器被引量：1
- 2005年
- 本文首先评论了近5年来各类Si基纳米材料在光增益和受激光发射特性研究方面所取得的最新进展.进而指出,晶粒有序的小尺寸和高密度纳米晶Si(nc-Si),具有载流子三维量子受限的局域化纳米结构和具有高激活浓度Er掺杂的nc-Si:Er/SiO2纳米薄膜,将是实现Si基激光器的主要有源区材料.最后,对这一领域的今后发展趋势进行了初步展望.预计在今后的3～5年内,实现Si基激光器的探索性研究高潮即将到来,并极有可能获得重大突破性进展,即在进一步提高发光效率的基础上,实现稳定可靠的光增益和受激光发射特性.而后再用3～5年的时间,通过优化结构形式与工艺技术,研制出具有器件实用化水平的Si基激光器.
- 彭英才X.W.Zhao傅广生王英龙
- 关键词：NC-SI光增益受激光发射
- 量子点光电子器件及其研究进展
- 2008年
- 作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。
- 彭英才ZHAO Xinwei马蕾
- 关键词：半导体量子点光电子器件光电子产业
- 多晶硅薄膜制备技术的研究进展被引量：9
- 2005年
- 多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
- 马蕾简红彬康建波彭英才
- 关键词：低压化学气相淀积金属诱导晶化
- 中红外量子级联激光器的研究进展被引量：6
- 2007年
- 以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。以不同技术指标和特性参数为主要内容,如激射波长、阈值电流密度、工作温度和输出功率等,评述了量子级联激光器在近3～5年内的研究进展。提出了进一步改善器件性能的可能途径,并指出了其今后研究的新方向。
- 彭英才赵新为尚勇
- 关键词：量子级联激光器特性参数
- 高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：11
- 2007年
- 随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。
- 田书凤彭英才范志东张弘
- 关键词：高介电常数HFO2栅介质电学特性
- 纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积被引量：7
- 2006年
- 利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。
- 彭英才马蕾康建波范志东简红彬
- 关键词：LPCVD纳米晶粒
- Si基光电子学的研究与展望被引量：11
- 2004年
- Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。
- 彭英才ZHAO X W傅广生王英龙
- 关键词：光电子学光电子集成
- 纳米薄膜材料的蓝光发射特性及其研究进展被引量：1
- 2006年
- 蓝光发射是纳米半导体材料发光特性的一个重要研究方向。本文首先简要介绍了蓝光发射的物理机制，接着重点评述了几种主要纳米薄膜材料，如ZnO、GaN、CdS和Si纳米结构等，近3～5年内在蓝发光射特性方面所取得的最新研究进展。最后，对存在问题和发展前景进行了讨论与展望。
- 彭英才傅广生王英龙
- 关键词：纳米薄膜材料蓝色发光
- 提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索被引量：5
- 2005年
- 本文中, 我们以SiO2 介质镶嵌的纳米晶Si薄膜 (nc Si/SiO2 )作为基质, 将稀土离子Er掺入其中所形成的nc Si:Er3+ /SiO2 薄膜材料为主, 介绍了nc SiEr3+之间的能量转移过程, 探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径。这些方法主要包括: 增强nc SiEr3+的能转移效率,提高有效Er的掺杂浓度, 选择最佳的退火温度, 增加Er O发光复合体的浓度和制备新的Er掺杂Si基纳米结构等。这些方法对制备具有高发光效率的掺铒硅基纳米材料具有重要的实际意义。
- 彭英才傅广生王英龙尚勇
- 关键词：掺铒硅基发光效率SIO2薄膜稀土离子退火温度
- 超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展
- 2005年
- 在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
- 张弘范志东田书凤彭英才
- 关键词：等离子体氮化化学气相沉积
