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浙江省科技厅新苗人才计划(XinMiaoProjectofScience)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
刘俊杰
崔强
斯瑞珺
韩雁
董树荣
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相关机构:
中佛罗里达大学
浙江大学
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发文基金:
浙江省科技厅新苗人才计划
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相关领域:
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董树荣
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韩雁
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刘俊杰
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传感技术学报
年份
1篇
2008
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MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模
被引量:1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强
韩雁
董树荣
刘俊杰
斯瑞珺
关键词:
MOS
二次击穿
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