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北京市教育委员会科技发展计划(JC002999201301)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：侯立刚汪金辉万培元冯超更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电压源设计
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇硅

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇冯超
  • 1篇万培元
  • 1篇汪金辉
  • 1篇侯立刚

传媒

  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计
2014年
基于0．35μm CSMC（central semiconductor manufacturing corporation）工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在3．3 V 供电电压，-40～80℃的温度范围内进行测试，结果显示输出电压波动范围为1．2128～1．2175 V，温度系数为3．22×10-5/℃。电路的版图面积为135μm×236μm，芯片大小为1 mm×1 mm。
冯超汪金辉万培元侯立刚
关键词：基准电压源温度系数基准电压
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