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国家自然科学基金(90101004)

作品数:8 被引量:30H指数:3
相关作者:周旺民王崇愚王占国蔡承宇尹姝媛更多>>
相关机构:浙江工业大学中国科学院清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术冶金工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇半导体
  • 2篇自由能
  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇导体
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子态
  • 1篇信息存储材料
  • 1篇信息功能材料
  • 1篇亚稳态
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法氧化
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇体硅

机构

  • 3篇浙江工业大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 3篇王崇愚
  • 3篇周旺民
  • 2篇蔡承宇
  • 2篇王占国
  • 1篇郭霞
  • 1篇周正
  • 1篇尹姝媛
  • 1篇金鹏
  • 1篇陈敏
  • 1篇张春玲
  • 1篇李若园

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇化工进展
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇Chines...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
Influence of InAs deposition thickness on the structural and optical properties of InAs quantum wires
2007年
The influence of InAs deposition thickness on the structural and optical properties of InAs/InAlAs quantum wires (QWR) superlattices (SLS) was studied. The transmission electron microscopy (TEM) results show that with increasing the InAs deposited thickness, the size uniformity and spatial ordering of InAs QWR SLS was greatly improved, but threading dislocations initiated from InAs nanowires for the sample with 6 monolayers (MLs) InAs deposition. In addition, the zig-zag features along the extending direc-tion and lateral interlink of InAs nanowires were also observed. The InAs nanowires, especially for the first period, were laterally compact. These structural features may result in easy tunneling and coupling of charge carriers between InAs nanowires and will hamper their device applications to some extent. Some suggestions are put forward for further improving the uniformity of the stack-ed InAs QWRs, and for suppressing the formation of the threading dislocations in InAs QWR SLS.
Yuanli WangHua CuiWen LeiYahong SuYonghai ChenJu WuZhanguo Wang
关键词:光学性质
信息功能材料的研究现状和发展趋势被引量:13
2004年
介绍了国内外信息功能材料目前的研发水平、器件应用概况和发展趋势 ,主要介绍了半导体材料 ,也涉及到信息存储材料、有机光电子材料和人工晶体材料等。
王占国
关键词:信息功能材料半导体硅材料信息存储材料人工晶体材料
低维半导体材料应变分布被引量:10
2004年
在各向同性弹性理论的假设下 ,探讨了理想简单化的二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与量子点的应力和应变分布规律 ,并讨论了它们应力、应变与应变能密度分布之间的差异 .结果有助于定性理解更复杂形状结构的低维半导体材料的应力。
周旺民王崇愚
关键词:量子线半导体材料量子点各向同性
Al_xGa_(1-x)As/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)被引量:1
2005年
对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.
李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏
关键词:垂直腔面发射激光器分布布拉格反射器
Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态被引量:2
2007年
基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了金字塔形自组织Ge/Si半导体量子点应变能随高宽比变化的规律:系统的应变能随着高宽比的增大而逐渐减小.并通过自由能(应变能与表面能之和)讨论了量子点的平衡形态.结果表明,对于固定体积的量子点,存在一个高宽比值,称之为平衡高宽比,使得系统的自由能最低.同时,还给出了量子点的应力、应变、流体静应变及双轴应变分布.这些可以作为阐明应变自组织量子点实验的理论基础.
蔡承宇周旺民
关键词:量子点自由能
单壁碳纳米管中单空位结构演化及相关电子态研究被引量:2
2005年
以带帽(capped)型单壁碳纳米管(SWCNTs)为研究对象,采用紧束缚方法,对单壁碳纳米管中单空位导致的几何结构和电子结构的演化进行了系统的研究。总能-原子间距关系、格位能以及能量过渡曲线表明,单壁碳纳米管中的单空位将会演化为总能较高的“3DB”型亚稳态结构和总能最低的“5-1DB”型稳定结构。此外,文中计算了管壁—尖区不同位置引入空位的不同缺陷体系的空位形成能和电子结构,分析了空位位置与缺陷体系稳定性之间的关系,以及对场发射性能的可能影响。
周正王崇愚
关键词:碳纳米管亚稳态场发射单壁碳纳米管电子态电子结构
埋置量子点应力分布的有限元分析被引量:3
2009年
通过衬底材料和外延材料的交替生长方式制备出多层排列的自组装量子点超晶格结构.这些埋置量子点的应力/应变场影响着它们的光电性能、压电性能以及力学稳定性.基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了埋置金字塔形应变自组织Ge/Si半导体量子点的应力/应变分布以及流体静应变和双轴应变分布,并与非埋置量子点的应力/应变分布做了比较,指出了它们之间的异同以及覆盖层对量子点应力/应变分布的影响.
周旺民蔡承宇王崇愚尹姝媛
关键词:量子点应力分布
Morphologies of epitaxial islands on a lattice-misfitted substrate被引量:1
2008年
Under certain growth conditions for systems with a film/substrate lattice misfit, the deposited material is known to aggregate into island-like shapes. We have obtained an analytical expression of the total free energy, which consists of strain energy, surface energy and interfacial energy of a coherent island/substrate system, and the change of equilibrium aspect ratio versus the volume of the island and the misfit of lattices in the system, which provides a broad perspective on island behaviour. These then were used to study the equilibrium shapes of the system. The results show that in order to minimize the total free energy, a coherent island will have a particular height-to-width aspect ratio, called equilibrium aspect ratio, that is a function of the island volume and misfit. The aspect ratio is increased with increasing island volume at a fixed misfit, and with increasing misfit strain between the island and substrate at a fixed island volume. Moreover, the effect of misfit dislocation on the equilibrium shape of the island is also examined. The results obtained are in good agreement with experiment of observations and thus can serve as a basis for interpreting the experiments.
汪建平周旺民王崇愚尹姝媛
关键词:自由能物理分析
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