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国家高技术研究发展计划(2002AA332050)

作品数:6 被引量:19H指数:2
相关作者:张学军郑永挺韩杰才周立娟更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇陶瓷
  • 3篇燃烧合成
  • 3篇SI
  • 3篇TIN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇自蔓延
  • 2篇稀释剂
  • 1篇氮化钛
  • 1篇氮气
  • 1篇氮气压力
  • 1篇低压
  • 1篇注射成型
  • 1篇注射成型工艺
  • 1篇自蔓延高温合...
  • 1篇自蔓延燃烧
  • 1篇自蔓延燃烧合...
  • 1篇晶须
  • 1篇合成制备
  • 1篇SIC陶瓷

机构

  • 5篇哈尔滨工业大...

作者

  • 5篇韩杰才
  • 5篇郑永挺
  • 5篇张学军
  • 1篇周立娟

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇功能材料
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2007
  • 5篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
稀释剂含量对自蔓延高温合成Si_3N_4-SiC-TiN陶瓷的影响被引量:10
2006年
以TiSi2和SiC为原料,利用自蔓延高温合成(self-propagation high-temperature synthesis,SHS)方法合成直径为24mm的Si3N4-SiC-TiN陶瓷。通过理论计算和实验研究了不同孔隙率压坯中稀释剂SiC含量对反应物TiSi2转化率的影响。结果表明:SiC在一定范围内增加有利于TiSi2的氮化, 且含40%(质量分数,下同)SiC和50%SiC的压坯在燃烧合成过程中发生了SiC的氮化反应。压坯孔隙率为50%(体积分数,下同)时,反应物TiSi2 氮化充分,最终产物为Si3N4-SiC-TiN。孔隙率为45%,含量为30%SiC和40%SiC压坯的合成产物中残留游离Si,50%SIC压坯的合成产物中未发现游离Si。在稀释剂含量为35%SiC,氮气压力为150 MPa条件下,所得的Si3N4-SiC-TiN复相陶瓷抗弯强度达430 MPa,断裂韧性为3.6 MPa·m1/2。
张学军郑永挺韩杰才周立娟
关键词:自蔓延高温合成氮化
Si_3N_4-SiC-TiN陶瓷燃烧合成工艺研究被引量:2
2006年
以TiSi2和SiC为原料,利用SHS方法合成Si3N4-SiC-TiN复相陶瓷。在不同稀释剂含量及氮气压力下进行燃烧合成,计算了毛坯转化率和产物相对密度,并对产物进行了XRD分析。结果表明,氮气压力增高有利于提高转化率及产物相对密度。反应物转化率随稀释剂含量增加而增大。孔隙率为53%(体积分数)毛坯,稀释剂SiC含量为35%(质量分数)压坯相对密度达到最大值,且当稀释剂含量高于35%(质量分数)时,SiC发生氮化反应,生成Si3N4和C。
张学军郑永挺韩杰才
关键词:燃烧合成稀释剂
Combustion Synthesis of h-BN-SiC Ceramic Composites
2006年
The feasibility was demonstrated to fabricate h-BN-SiC ceramics through combustion synthesis of the mixture of boron carbide and silicon powders under 100 MPa nitrogen pressure. The mass fraction of BN and SiC in the combustion products were found to be 72 % and 28 % respectively. The thermodynamics of the synthesis reaction and the adiabatic combustion temperature were calculated on the theoretical ground. The bending strengths of the ceramics were measured to be 65.2 MPa at room temperature and 55 MPa at 1350℃ The phase composition and microstructure of the combustion products were identified by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM).
LI Hong-bo ZHENG Yong-ting ZHOU Li-juan HANJie-cai
低压注射成型工艺的研究进展被引量:6
2007年
低压注射成型(LPIM)是高效、经济的近净形成型工艺.综述了LPIM工艺的特点及其优势,总结了LPIM的发展研究状况,并对其发展前景作了展望.
张学军郑永挺韩杰才
燃烧合成制备Si_3N_4–TiN–SiC陶瓷的显微结构被引量:1
2006年
以TiSi_2为反应原料,SiC作稀释剂,燃烧合成制备Si_3N_4–TiN–SiC陶瓷。利用燃烧波“淬熄”法使反应各个阶段的物相得以保留,通过X射线衍射及扫描电镜分析TiSi_2在燃烧合成中的反应过程及显微组织转化。结果表明完全反应后产物的主相为Si_3N_4,其余为TiN和SiC。在燃烧过程中,TiSi_2首先受热熔化,包覆于SiC颗粒表面,随后与N2反应生成TiN和Si。Si在高热作用下发生熔化、汽化,液态Si与未反应的TiSi_2互溶。生成的Si与氮气发生反应,形成Si_3N_4晶核,并不断长大。燃烧合成反应过程中,Si_3N_4晶须的生长十分复杂,由气–液–固机制、气–固机制及蒸发凝聚的气相生长机制共同作用。
张学军郑永挺韩杰才
关键词:燃烧合成氮化硅晶须
氮气压力对Si_3N_4-SiC-TiN陶瓷自蔓延燃烧合成的影响被引量:1
2006年
以TiSi2为反应原料,SiC作稀释剂,利用自蔓延高温合成(SHS)方法合成Si3N4-SiC-TiN复相陶瓷。计算了氮气压力对毛坯反应物理论转化率的影响,并在50、100和150 MPa三种氮气压力下进行了燃烧合成。结果表明,孔隙率为50 vol%的压坯在三种条件下反应都比较完全,反应物转化率随氮气压力增加而提高。而孔隙率为40 vol%的压坯在较低氮气压力下燃烧反应变得不完全,产物中残留大片Si。当压力为150 MPa时产物中未出现单质Si。说明氮气压力增大有利于氮气向反应前沿的渗入,进而提高反应物的转化率。
张学军郑永挺韩杰才
关键词:燃烧合成陶瓷
共1页<1>
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